第六代V-NAND闪存两大优势 在性能方面，三星通过在电路设计上进行速度优化，使得全新第六代V-NAND闪存拥有更快的数据传输性能，根据测算，相较于第五代闪存，其写入操作时间少于450微秒（μs），读取操作的时间少于45μs，性能提高了10%以上，而功耗却降低了15%以上。在实现了容量倍增和性能提升后，三星第六代V-...
三星周二推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,三星公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比,新内存的延迟降低了10%,功耗降低了15%。 三星的第六代V-NAND可提供高达136层以及charge trap flash(CTF)。新...
IT之家 8 月 18 日消息，据台湾地区“工商时报”今日报道，三星日前已经下令暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价，低于 1.6 美元者（当前约 12 元人民币）全面停止出货。据悉，已有两大厂商证实这一消息，并表示“先前该产品 1.45-1.48 美元（IT之家备注：当前约 10.56 - 10.78 元人民币）低价...
今天上午，三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不...
据了解,三星第六代V-NAND颗粒采用100+层堆叠设计,比第五代密度增加约40%,实际上可由136层导电模堆叠,采用通道孔蚀刻技术,从而实现俊园的3D 电荷CTF单元。性能方面,读写延迟分别为45μs微秒和450μs微秒,性能相比现有第五代提升10%,能耗降低15%,单芯容量高达256Gb。不过,三星表示将很快推出单芯512Gb容量颗粒的...
8月6日,三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256Gb 3-bit V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘(SSD)。 据三星介绍,在今年6月三星基于136层堆叠、单die 256Gb(32GB)容量的第六代V-NAND(3bit,也就是TLC)芯片就已正式量产。而在7月份,基于该NAND芯片的SSD已进入量产。
【消息称三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价 存储芯片价格或将全面看涨】三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价,低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息,并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位,未来不会再出现了”,意味存储芯片价格全面看涨。记忆体业者则指出,整体而言,存储芯片报价有落底现象,大厂全面...
韩国首尔——2019 年 8 月 6 日——先进存储技术企业三星电子今日宣布,公司已开始量产 250 千兆字节(GB) SATA SSD,产品集成了公司第六代(1xx 层)256 千兆位(Gb) 3-bit V-NAND,适用于全球个人计算机原始设备制造商。三星在仅仅 13 个月内推出新一代...
【消息称三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价 存储芯片价格或将全面看涨】《科创板日报》18日讯，三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”，意味存储芯片价格全面看涨。记忆体业者则指出，整体而言...
据供应链最新消息称，三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”，意味存储芯片价格全面看涨。相关存储从业者则指出，整体而言，存储芯片报价有落底现象，大厂全面启动减产，效应预估第三季开始反应，报价...