9月 24 日消息,三星半导体宣布其量产首批第 9 代 QLC V-NAND,为各种 AI 场景和设备提供了大容量和高性能的内存解决方案。 这款第 9 代 QLC V-NAND 使用了通道孔蚀刻技术,实现了业界最高的层数和双堆栈结构。采用预设模具技术和调整字线间距,确保 NAND 层与层之间单元特性的均匀性,提高了数据保留性能约 20...
今年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi ...
现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作,属于其首款1Tb的QLC(四层单元)闪存,进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。 三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示:“在距上次TLC版本量产仅四个月后,第9代V-NAND QLC闪存产品成功启动量产,使我们能够提供,能够满足人工智能时代...
今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产...
据The Elec报道,三星在第9代V-NAND闪存的生产中,在金属化工艺过程中使用了钨,另一种则使用了钼(Mo)。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限,换成钼可将层高再降低30%至40%,而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼,意味着NAND材料价值链将发生一些变化。
三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术 IT之家 7 月 3 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试使用钼（Mo）。IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。其中金属...
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。不过当时三星称层数将超过300层，比现在的280层还要更高一些。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的...
超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也...
目前,三星已量第九代V-NAND 1T TLC,并计划在今年下半年量四层单元(QLC)的第九代V-NAND。 &;&g;据韩媒报道,三星第9代V-NAND闪存的堆叠层数是290层。然而,在学术会议上展示的则是280层堆叠的QLC闪存。值得注意的是,三星的第10代V-NAND闪存有望达到430层,进一步提升了堆叠方面的优势。
几个月前，三星开始批量生产其第一款 TLC（三层单元）第 9 代 V-NAND，使位密度增加 50%。今天，它宣布量产第 9 代 QLC V-NAND，为 AI 应用提供高性能和低功耗运行。QLC V-NAND 是通过各种技术的组合生产的，这导致了目前可能的最高层数。QLC 或四层单元 V-NAND 引入了通道孔蚀刻、设计模具和预测程序，...