三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术...
三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术...
从最早的1Gb到如今的QLC V-NAND,三星不仅实现了技术的升级,更推动了全球存储市场从2D NAND向3D V-NAND的过渡。 早在2013年,三星就首次发布了3D V-NAND,这一技术打破了传统平面闪存的瓶颈,带来了更高的速度、更低的功耗和更长的使用寿命。 而第九代V-NAND则代表了三星在3D存储技术上的又一里程碑。 第九代...
第 8 代 V-NAND 现在，随着最近宣布其第 8 代 V-NAND 达到量产，三星继续为其 V-NAND 产品线的丰富历史增添光彩。据三星称，新的 V-NAND 解决方案是一种 1 TB 三级单元 (TLC) 产品，具有业界最高的位密度。三星将这一成就归功于其提高每个晶圆的“位生产力”的能力。这意味着三星将 I/O 速度提高了 ...
据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星近日公布了其V-NAND（即3D NAND）的发展计划，证实将在2024年开始生产超过300层的第九代V-NAND芯片。三星总裁暨内存事业部负责人Jung-bae Lee在一篇博客文章中表示：“第九代V-NAND基于双堆栈结构，层数将达到业界最高水准，将于明年初量产。”这一消息无疑将对全球...
据了解,三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层,目前第八代是236层,更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现。 具体来说,三星将发布 1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度28.5Gb平方毫米,国内最强的长江存储颗粒密度为20.62Gb平方毫米。性能上,I/O速率达到了3.2 Gbps,现有第8代是2.4 ...
第六代V-NAND闪存两大优势 在性能方面，三星通过在电路设计上进行速度优化，使得全新第六代V-NAND闪存拥有更快的数据传输性能，根据测算，相较于第五代闪存，其写入操作时间少于450微秒（μs），读取操作的时间少于45μs，性能提高了10%以上，而功耗却降低了15%以上。在实现了容量倍增和性能提升后，三星第六代V-...
三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构 【三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构】《科创板日报》18日讯，三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。报道称，这将使三星的进度超过SK海力士，后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。（台湾电子时报...
V-NAND闪存是三星的未来,我们可以看到V-NAND闪存出现在企业级、客户端级甚至移动市场(移动电话及平板)。尽管距离三星全面转向V-NAND闪存还有一段时间,但是明年就可以看到三星在多个市场领域转向V-NAND。 目前的128Gb核心NAND已经很好,不过这肯定不是终点,三星预计在2017年实现每核心1Tb,这都要归功于3D NAND。此外,...