在堆叠层数方面，第六代V-NAND颗粒应用了前文提到的三星独创的CTF路线，也就是“通道孔蚀刻”技术，即在闪存内部建立100多个层组成的导电晶片堆栈，从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，让第六代V-NAND颗粒内部拥有1XX层的堆叠，相较于应用在970EVO Plus上的第五代9X层，有了一个量级的提...
三星周二推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,三星公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比,新内存的延迟降低了10%,功耗降低了15%。 三星的第六代V-NAND可提供高达136层以及charge trap flash(CTF)。新...
IT之家 8 月 18 日消息，据台湾地区“工商时报”今日报道，三星日前已经下令暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价，低于 1.6 美元者（当前约 12 元人民币）全面停止出货。据悉，已有两大厂商证实这一消息，并表示“先前该产品 1.45-1.48 美元（IT之家备注：当前约 10.56 - 10.78 元人民币）低价...
今天上午，三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不...
据了解,三星第六代V-NAND颗粒采用100+层堆叠设计,比第五代密度增加约40%,实际上可由136层导电模堆叠,采用通道孔蚀刻技术,从而实现俊园的3D 电荷CTF单元。性能方面,读写延迟分别为45μs微秒和450μs微秒,性能相比现有第五代提升10%,能耗降低15%,单芯容量高达256Gb。不过,三星表示将很快推出单芯512Gb容量颗粒的...
【消息称三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价 存储芯片价格或将全面看涨】三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价,低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息,并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位,未来不会再出现了”,意味存储芯片价格全面看涨。记忆体业者则指出,整体而言,存储芯片报价有落底现象,大厂全面...
新款V-NAND 通过 100+ 层单堆叠设计,实现更快速度和更高能效,突破 3D NAND 现有单元堆叠限制。 韩国首尔——2019 年 8 月 6 日——先进存储技术企业三星电子今日宣布,公司已开始量产 250 千兆字节(GB) SATA SSD,产品集成了公司第六代(1xx 层)256 千...
【消息称三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价 存储芯片价格或将全面看涨】《科创板日报》18日讯，三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”，意味存储芯片价格全面看涨。记忆体业者则指出，整体而言...
据供应链最新消息称，三星暂停第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”，意味存储芯片价格全面看涨。相关存储从业者则指出，整体而言，存储芯片报价有落底现象，大厂全面启动减产，效应预估第三季开始反应，报价...
据最新供应链消息,为了提升存储芯片价格,三星和SK海力士已经采取了一系列措施。其中,三星已经暂停了第六代V-NAND成熟型制程的报价,并且全面停止了低于1.6美元的出货。已有厂商私下证实了这一消息,并表示未来不会再出现1.45～1.48美元的低价位,这意味着存储芯片价格全面看涨。 一些相关的存储从业者指出,整体而言,存储芯片...