三星在第十代V-NAND闪存中首次使用了CoP混合键合外围单元架构，这是实现5600MT/s闪存接口速度的关键。为此，三星从长江存储获取了混合键合专利授权。据韩国媒体ZDNET称，三星认为长江存储的专利在V10以及未来V11、V12等下一代NAND闪存开发中都是无法绕过的。作为NAND闪存制造行业的后来者，长江存储跳过了CuA
IT之家 1 月 9 日消息，据韩媒 The Elec 消息，三星将加速 3D NAND 堆叠进程，正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存，同时，下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。据报道，三星计划 2024 年量产的第九...
三星2025年下半年将量产第十代V-NAND 4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。 这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存阵列。 这种方法虽然更复杂,但是良品率可以得到很...
格隆汇1月9日丨据TheElec，三星将加速3D NAND堆叠进程，正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跳至430层级。此外，业内人士透露，三星已经为第九代、第十代等V—NAND单元的数量制定了大致的路线图，正在从多个角度开发产品。
在2025国际固态电路会议上,三星电子正式发布了其最新研发的第十代V-NAND闪存。这款闪存的最大亮点在于其堆叠层数超过了400层,同时接口速度高达5600MT/s,这使得四通道主控的PCIe 5.0x4满速方案成为可能。这样的一项技术进步不仅彰显了三星在闪存领域的领先地位,也为后续技术如八通道PCIe 6.0 SSD铺平了道路。与此前的...
在2025国际固态电路会议上,三星宣布了即将推出的第十代V-NAND闪存,堆叠层数超过400层,接口速度高达5600MT/s,使得四通道主控的PCIe 5.0 x4满速方案成为可能,并未更远的八通道PCIe 6.0...查看全文 相关企业信息 公司名称:长江存储科技有限责任公司 法人代表:陈南翔 注册资本:6471073.69万人民币 成立时间:2016-07-26...
早盘提示 | 三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10 NAND产品据韩媒报道,三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利,从其V10(第10代)NAND 开始。报道称,三星计划于2025年下半年开始大规模生产其V10 NAND,该产品预计将具有约420至430 层。V10 NAND将采用多项新技术,其中最重要的是W2W混合键合技术。混合键...
在2025国际固态电路会议上,三星掀起了存储技术的狂潮,推出了第十代V-NAND闪存,这一新秀的堆叠层数突破了400层,接口速度更是飙升至5600MT/s,彻底打破存储速度的天花板。不仅如此,这一技术奠定了未来八通道PCIe6.0SSD的基石,为存储设备的性能提升开辟了新天地。
在2025国际固态电路会议上,三星宣布了即将推出的第十代V-NAND闪存,堆叠层数超过400层,接口速度高达5600MT/s,使得四通道主控的PCIe 5.0 x4满速方案成为可能,并未更远的八通道PCIe 6.0 SSD奠定基础。 三星第十代V-NAND闪存的单die容量仍保持为1Tb,可以为较小存储容量的设备提供写入速度保障。存储密度方面,3D TLC类...
4. 据悉三星开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。 5. 朱雀三号可重复使用火箭完成10公里级垂直起降飞行试验。 6. 国务院:以新能源汽车商业保险为重点,深化车险综合改革。 7. 三星印度南部工厂的工人将继续罢工,直到工会领导满足加薪要求。 8. 工信部:加快推动移动物联网从“万物互联”向“万物智联”发展。