半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料,具有介电常数相对较小、导电性能相对较弱的特点。常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。 半导体器件 半导体器件是利用半导体材料制造的电子器件,广泛应用于电子信息领域。常见的半导体器件包括二极管、晶体管、集成电路等。 半导体材料与器件的研究方向 半导体...
摘要:以氧化镓、金刚石和氮化铝为代表的超宽禁带半导体是继硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅之后的第四代半导体材料,已被公认是推动微电子技术继续高速发展的关键技术,成为世界各国竞争的技术制高点。超宽禁带半导体具有大功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是新一代大功率集成电路、电力电子功率器件、短波长光电...
1.半导体材料的物理性质与器件特性密切相关，对半导体基础物理、电路设计和制造技术有深入的理解十分必要；2.半导体器件的特性测试是评估性能和优化设计的重要手段，包括电学测试、光学测试、热学测试等多个领域，需要依据不同的应用场景选择合适的测试方法；3.半导体技术的发展日新月异，要保持持续学习和更新知识，了解...
《半导体材料与器件表征技术》是2008年大连理工大学出版社出版的图书，作者是（美国）施罗德。该书详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术，基本上覆盖了所有的电学与光学测试方法，以及非常专业的与半导体材料相关的物理和化学测试方法。内容简介 《半导体材料与器件表征技术》作者不但论述了测量中的相关物理...
11月20日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用 将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。 2023-11-22 15:27:56 郝跃院士:功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战 郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成...
中国科学院半导体研究所党委委员和学术委员会委员,光电子材料与器件重点实验室主任,中国电子学会会士,Optica Fellow,半导体学报常务副主编。长期致力于微波光子信号产生和可编程光学信号处理研究,在新型光电振荡器、光电协同智能计算和光电子集成芯片等...
《纳米半导体材料与器件》是2013年出版的图书，作者是肖奇。内容简介 《纳米半导体材料与器件》力求以最新内容，全面、系统阐述纳米半导体特殊性能及其在信息（纳米光电子、纳米电子学）、能源、环境、传感器技术以及生物技术领域中的应用，反映当前纳米半导体材料与器件研究国际上最新成果与技术。纳米半导体具有常规半导体无法...
中心目前拥有球差透射电镜、辉光放电质谱、电感耦合等离子体质谱、微米CT等原值超过1.8亿元的设备,测试服务实现了对于无机材料测试表征领域的全覆盖,目前正聚焦于半导体材料与器件分析检测技术和研究。