半导体性能的好坏直接影响着电子设备的性能,因此在半导体材料和器件研究中,表征技术显得尤为重要。 一、半导体材料表征技术 半导体材料表征技术是指对半导体材料进行结构、物理、化学等方面的表征方法。其中,结构表征主要包括了X射线衍射、电子衍射和扫描电镜等技术;物理表征主要包括了热导率、热膨胀系数和电学性能等测量...
《半导体材料与器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时...
原子力显微镜是一种常用的微纳尺度表征技术。它利用针尖与样品之间的相互作用力来获取样品表面的拓扑结构信息。AFM的分辨率可以达到纳米甚至亚纳米级别,具有高分辨率、高灵敏度和非破坏性等特点,可用于表征半导体材料和器件的表面形貌、粗糙度、纳米级别结构等特征。 二、透射电子显微镜(TEM) 透射电子显微镜是一种通过电子...
半导体材料与器件的表征技术不仅对于研发阶段至关重要,在生产过程中也扮演着质量控制的关键角色。通过这些技术,科研人员和工程师能够更精确地了解材料与器件的性能,从而优化设计方案,提高产品的性能和可靠性。 综上所述,半导体材料与器件的表征技术是确保半导体产品性能和质量的重...
《半导体材料与器件表征技术》一书全面介绍了现代半导体工业中半导体材料与器件的表征方法，包括电学与光学测试，以及物理和化学测试。作者深入探讨了测量中的物理问题、半导体材料与器件参数的物理起源和意义，并分享了个人与同行的经验与测量技术。书中强调了不同方法的局限性和注意事项。此书经过修订和扩展，...
GaN HEMT外延材料表征技术研究进展 氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN 外延材料的 质量决定了高电子迁移率 2023-02-20 11:47:22 【基础知识】功率半导体器件的简介 在研究雷达探测整流器时,...
半导体材料与器件表征技术[M]. 刘爱民,张 贺秋,刘艳红,等译. 大连: 大连理工出版社,2008. Dieter K S. Semiconductor material and device characterization [M]... Schroder, Dieter K. - 《Semiconductor Material & Device Characterization》 被引量: 91发表: 2005年 CORONA-OXIDE-SEMICONDUCTOR device CHARACTER...
走进彭斯颖老师的纳米光学材料实验室 基础原理是拓展和创新的基石。彭斯颖课题组聚焦拓扑微纳光子学的基础物理现象与机制,从该基础领域延伸到光电材料科学多个方向,交叉新型光电半导体材料的开发、新型器件的微纳加工设计与制备、和高分辨光学表征技术和冷 - 西湖大学于20
《半导体材料与器件表征技术》是2008年大连理工大学出版社出版的图书，作者是（美国）施罗德。该书详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术，基本上覆盖了所有的电学与光学测试方法，以及非常专业的与半导体材料相关的物理和化学测试方法。内容简介 《半导体材料与器件表征技术》作者不但论述了测量中的相关物理...