其主要通过激光等方式对被加工物进行高精度划线,划线的质量与效率直接影响到芯片的质量和生产成本。 01 UW半导体晶圆划线机 该设备是联赢激光旗下子公司江苏联赢半导体技术有限公司自主开发的半导体晶圆划线机,结合先进的工艺技术和智能控制,可以实现对半导体晶圆背部的高精度划线,主要应用晶圆划线以及ITO玻璃上刻mark、字...
专利摘要显示，本发明公开了一种腔室异常处理方法和半导体工艺设备，包括：获取任一酸槽腔室和水槽腔室的状态，若任一目 标器件所处的酸槽腔室的状态是异常状态，且该目标器件在该酸槽腔室内的溶液中的浸泡时长大于该酸槽腔室的允许浸泡时长，则执行目标器件保护操作，该目标器件保护操作用于保护该目标器件，以...
半导体设备国产化 专用设备制造业 员工 碳化硅外延工艺及设备 | 在晶体生长和晶片加工过程中,会不可避免地在表面或近表面引入缺陷,导致衬底的体材料质量和表面质量都不够好,直接用其制得器件的性能较差。外延层的生长可以消除许多缺陷,使晶格排列整齐,表面形貌较衬底大为改观。这样的外延片用于制造功率器件,可以...
逻辑器件:随着国际上先进芯片线宽向7nm、5nm及更先进工艺的方向升级,受光刻机波长限制,芯片制造过程中需要结合刻蚀和薄膜设备采用多重模板工艺。(1)刻蚀需求倍增:在7nm及以下节点,刻蚀工艺的精确性和一致性直接影响到芯片的性能和良品率。根据中微公司公告披露,逻辑器件刻蚀次数随先进制程升级而增多,5nm先进制程逻辑...
原子层沉积(ALD)工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年,ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造,不断推动诸如动态随机存取存储器(DRAM)、先进的鳍式场效应晶体管(FinFET)以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓,ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域,如超越摩尔...
专利摘要显示,本发明公开了一种腔室异常处理方法和半导体工艺设备,包括:获取任一酸槽腔室和水槽腔室的状态,若任一目 标器件所处的酸槽腔室的状态是异常状态,且该目标器件在该酸槽腔室内的溶液中的浸泡时长大于该酸槽腔室的允许浸泡时长,则执行目标器件保护操作,该目标器件保护操作用于保护该目标器件,以减小该目...
专利摘要显示,本发明公开了一种腔室异常处理方法和半导体工艺设备,包括:获取任一酸槽腔室和水槽腔室的状态,若任一目 标器件所处的酸槽腔室的状态是异常状态,且该目标器件在该酸槽腔室内的溶液中的浸泡时长大于该酸槽腔室的允许浸泡时长,则执行目标器件保护操作,该目标器件保护操作用于保护该目标器件,以减小该目...
半导体设备国产化 专用设备制造业 员工 MEMS刻蚀技术 | (MEMS)是一种将微小机械元件、传感器、执行器和微电子部件集成到一个微小的芯片或晶片上的技术。刻蚀技术在MEMS制造中扮演着关键角色,并在多个方面得到应用:1、微结构制造:MEMS器件通常包含微小而精密的结构,例如微梁、微柱、微孔等,这些结构的制造需要...
专利摘要显示,本发明公开了一种腔室异常处理方法和半导体工艺设备,包括:获取任一酸槽腔室和水槽腔室的状态,若任一目 标器件所处的酸槽腔室的状态是异常状态,且该目标器件在该酸槽腔室内的溶液中的浸泡时长大于该酸槽腔室的允许浸泡时长,则执行目标器件保护操作,该目标器件保护操作用于保护该目标器件,以减小该目...
专利摘要:本发明公开了一种气体输送装置、半导体器件的工艺方法和工艺设备。该装置包括:第一组气路,进气端连接载气源和TEOS源,传输包括载气和TEOS的第一组气体;第二组气路,进气端连接补充气体源,传输包括补充气体的第二组气体;第三组气路,进气端连接臭氧源,传输包括臭氧的第三组气体;以及若干混气部,其进气端分别...