宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质,不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性,而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的**选半导体体系,在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚...
(SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。什么是宽禁带?物质的导电需要 2023-05-06 10:31:46 Cree Wolfspeed携手泰克,共迎宽禁带半导体器件发展契机与挑战
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》是2013年科学出版社出版的图书，作者是郝跃、张金风、张进成。内容简介 《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和...
氮化物宽禁带半导体展现巨大应用前景 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景,而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是,材料结晶质量差和电学性能低,是限制 2018-07-26 09:09:00 宽禁带半导体材料有哪些 ...
革命性的半导体材料。氮化物半导体器件: 电子器件的未来发展方向。 氮化物宽禁带半导体材料特性与应用: 氮化物半导体具有宽禁带、高电子饱和漂移速度等优异特性,广泛应用于高频功率器件、光电子器件等领域。 发展历程: 介绍氮化物半导体材料的发展历程和关键里程碑。
3月9日,重庆市电子学会宽禁带半导体材料与器件专业委员会在璧山区揭牌成立,将为领域内广大专家、学者、企业家建立起高效交流、创新合作的平台,共同促进宽禁带半导体技术交流和产业创新发展。 宽禁带半导体技术作为关系国家重大战略发展的“硬科技”,在能源电力、通信、汽车、国防等诸多关键领域显示出无可替代的重要性,是...
2024年7月22-24日,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会(以下简称“专委会”)主办,北京大学、西交利物浦大学、中国科学院微电子研究所、广东省科学院半导体研究所联合承办的GaN基电子材料与器件专题研讨会在新疆伊犁成功举行。中国有...
读书笔记氮化物宽禁带半导体材料与电子器件01思维导图精彩摘录目录分析内容摘要阅读感受作者简介目录0305020406思维导图电子器件氮化物材料半导体半导体氮化物电子器件制备读者方法最新介绍这些包括应用研究材料内容性质本书关键字分析思维导图内
图书 > 科学与自然 > 化学 > 宽禁带半导体电子材料与器件/沈波,唐宁 华北图书专营店 关注店铺 评分详细 商品评价: 4.9 高 物流履约: 5.0 高 售后服务: 4.7 高 手机下单 进店逛逛 | 关注店铺 关注 举报 企业购更优惠 宽禁带半导体电子材料与器件/沈波,唐宁 ...