电子器件的未来发展方向。 氮化物宽禁带半导体材料特性与应用: 氮化物半导体具有宽禁带、高电子饱和漂移速度等优异特性,广泛应用于高频功率器件、光电子器件等领域。 发展历程: 介绍氮化物半导体材料的发展历程和关键里程碑。 未来展望: 探讨氮化物半导体材料在未来电子器件中的潜在应用及发展趋势。
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《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析,GaN增强型HEMT器件和集成电路,GaN MOS-HEMT器件,最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向...
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