齐鲁工业大学(山东省科学院)材料科学与工程学部半导体材料与器件创新团队提出了一种生物-化学策略,通过构建沸石咪唑框架(ZIF)@酵母前体来制备钴纳米粒子(CoNPs)和钴/镍-N4-C共嵌入氮掺杂多孔碳(CoNPs&Co/Ni-N4-C@NC)催化剂(图1)。酵...
“半导体信息功能材料与器件的研究新进展”出自《中国材料进展》期刊2009年第1期文献,主题关键词涉及有半导体微电子、光电子材料、宽带隙半导体材料、自旋电子材料、有机光电子材料等。钛学术提供该文献下载服务。
“《有机半导体材料与器件》双语课程教学改革探讨”出自《科技视界》期刊2013年第29期文献,主题关键词涉及有半导体、材料与器件、教学改革等。钛学术提供该文献下载服务。
它与传统的批量炉比较有有许多优点。但还不能取代炉的主流地位。 著录项 来源 《河南冶金》 |1999年第2期|7-9|共3页 作者 郭运德; 作者单位 洛阳单晶硅有限责任公司; 原文格式 PDF 正文语种 CHI 中图分类 TN304.05; 关键词 半导体材料; 半导体器件; 热处理; 快速热处理; 入库时间 2023-...
摘要 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导...展开更多 出处 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第5期I0007-I0008,共2页 ...
摘要 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发...展开更多 出处 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第2期I0008-I0009,共2页 Journal of Terahertz Science and Electronic ...
摘要 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发...展开更多 出处 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第3期I0008-I0009,共2页 Journal of Terahertz Science and Electronic ...
摘要 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发...展开更多 出处 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第1期I0011-I0012,共2页 Journal of Terahertz Science and Electronic ...
12. 二维半导体阵列实施旋转调强治疗计划验证的剂量学评估 13. 二维半导体材料纳米电子器件和光电器件 14. 材料的率相关与梯度耦合模型的二维内尺度律研究 15. 氮化硼二维纳米材料剥离制备技术研究进展 推荐文献 1. 初审阶段科技期刊责任编辑对学术论文质量的控制 2. 海洋功能区划中的不确定性与适应性管理 3....
摘要 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发...展开更多 出处 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第2期I0008-I0009,共2页 Journal of Terahertz Science and Electronic ...