早期的MOS工艺都属于铝栅PMOS工艺,请写出铝栅工艺的缺点是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 Al不能承受高温工艺,所以要先做源漏区,后作栅极。这样就需要两块掩模,一块形成源漏区掺杂窗口,另一块形成栅极。两次光刻不易对齐,容易出现错位,引起沟道中断,无法形成沟道,也就不能形成MOS管。
铝栅工艺中所使用的铝材要求纯度高,一般要求大于等于99.5%。因为纯度越高的铝材,其硬度越高,导热性和抗氧化性能也越好,可以为铝栅的使用寿命提供更好的保障。 二、强度要求 铝栅工艺中所使用的铝材要求强度高,能够承受一定的负荷。强度越高的铝材,其制造的铝栅在使用时更加稳定牢固,能够承受更大的重量。 三、...
铝栅CMOS工艺简介
铝栅工艺简介
低压铝栅器件就是工作电压为1.5v~3v的铝栅器件。由于其工作电压较低,故采用PN结隔离。目前上华的低压铝栅工艺按器件尺寸分为6S30MGLV-CP05和6S40MGLV-CP04两个工艺,由于器件尺寸的区别,在工艺流程上其源漏的形成等都有区别。这将在下面做具体介绍。 二.工艺区别: 1.衬底材料: 6寸低压铝栅衬底材料采用的是...
在CMOS集成电路早期，使用的是P阱、铝栅工艺。该工艺中没有多晶层，版图的层次只有P-阱、P+扩散区、N+扩散区、光刻铝栅、接触孔、金属和压焊块等。铝栅工艺简单，光刻掩模板数量少，制备的集成电路价格便宜。铝栅CMOS集成电路的缺点：存在栅覆盖。为了保证沟道确实能受到栅极电压的控制，栅极光刻的掩模板必须沿...
铝栅工艺简介.pdf,LVMETAL GATE PROCESS FMI /Product-1/2008.2.27 Initial Oxidation 工艺目的:调节衬底浓度,形成下层对准台阶. 1. WAFER START: SUBSTRATE N100 2.7-4/ 2~2.7/ 4-7/Ohm-cm 2. NW Implant : P/100K/2.0E11 2. CLEAN: 10:1 HF /SC1/SC2 3. PRE-OXIDE- Ⅰ: 1
铝栅MOS 器件工艺流程如下: 1. 晶片清洗:首先将硅晶圆进行清洗,去除表面的杂质和污垢,确保晶片表面干净。 2. 氧化层生长:在清洗后的硅晶圆表面生长一层氧化层,用于隔离栅极和硅基底。 3. 光刻:在氧化层表面涂覆光刻胶,然后使用光刻机进行曝光和显影,形成栅极的 图案。 4. 栅极沉积:将铝材料沉积在栅极图案上...
铝栅MOS器件工艺流程。 1、衬底制备,起始衬底为硅片,其表面覆盖一层薄的二氧化硅(SiO2)。SiO2层用作栅极绝缘体。 2、图形化栅极,在晶片上涂覆光刻胶层,并通过掩模进行紫外线曝光。光刻胶的曝光区域被显影去除,留下栅极区域的图形。 3、刻蚀栅极,使用等离子刻蚀工艺将栅极区域蚀刻到SiO2层中。 4、沉积金属栅极,在...
目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺,而不采用铝栅工艺的原因是:①采用自对准方式,减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电容,从而提高器件的集成度与工作速度。②多晶硅可以高温氧化,对多层布线非常有利。③阈值电压低(取决于硅与二氧化硅的功函数差)。④有利于采用等比例缩小法则。⑤耐击穿时间长。00...