一、铝靶的纯度要求 铝靶的纯度越高,其导电性能就越好,其在铝栅工艺中的使用效果也会更佳。一般情况下,要求铝靶的纯度达到99.999%以上,以保证其使用效果和工艺的稳定性。 二、铝靶的形状要求 铝靶的形状对于铝栅工艺的影响也比较大,一般情况下,铝靶要求平整度好、表面光洁度高、表面无氧化层等,以保证其在...
答:目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺,而不采用铝栅工艺的原因是:① 采用自对准方式,减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电容,从而提高器件的集成度与工作速度。② 多晶硅可以高温氧化,对多层布线非常有利。③ 阈值电压低〔取决于硅与二氧化硅的功函数差〕。④ 有利于采用等比例缩小法如此。⑤ 耐击穿...
铝栅MOS器件工艺流程。 1、衬底制备,起始衬底为硅片,其表面覆盖一层薄的二氧化硅(SiO2)。SiO2层用作栅极绝缘体。 2、图形化栅极,在晶片上涂覆光刻胶层,并通过掩模进行紫外线曝光。光刻胶的曝光区域被显影去除,留下栅极区域的图形。 3、刻蚀栅极,使用等离子刻蚀工艺将栅极区域蚀刻到SiO2层中。 4、沉积金属栅极,在...
铝栅工艺简介
作者简介 赵少锋( 2) ,男, 攻读硕士学位,目前在华润上华科技有限公司从事半导体工艺与器件等方面的研究与开发 ,重 点是铝栅工艺方向的研究, x xj @ 摘要:利用计算机模拟软件 Tsuprem4 、Medici 以及流片实验开发了短沟道铝栅 CMOS器件及其工艺流程. 对铝栅 1. 5μm ...
目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺,而不采用铝栅工艺的原因是:①采用自对准方式,减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电容,从而提高器件的集成度与工作速度。②多晶硅可以高温氧化,对多层布线非常有利。③阈值电压低(取决于硅与二氧化硅的功函数差)。④有利于采用等比例缩小法则。⑤耐击穿时间长。00...
HT75XX-1 系列是采用CMOS工艺制造,低功耗的高压稳压器,最高输入电压可达18V,输出电压范围为2.0V～5.0V。它具有高精度的输出电压、极低的供电电流、极低的跌落电压等特点。 2023-03-28 12:57:15 TM1636 TM1636 是一种带键盘扫描接口的LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路 ,采用功率CMOS工艺显示模式(8字段×...
微米先进铝栅工艺开发 东南大学 硕士学位论文 1.0微米先进铝栅工艺开发 姓名：赵少峰 申请学位级别：硕士 专业：软件工程（集成电路）指导教师：时龙兴;滕敬信 20070515
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