铝栅MOS器件工艺流程。 1、衬底制备,起始衬底为硅片,其表面覆盖一层薄的二氧化硅(SiO2)。SiO2层用作栅极绝缘体。 2、图形化栅极,在晶片上涂覆光刻胶层,并通过掩模进行紫外线曝光。光刻胶的曝光区域被显影去除,留下栅极区域的图形。 3、刻蚀栅极,使用等离子刻蚀工艺将栅极区域蚀刻到SiO2层中。 4、沉积金属栅极,在...
铝栅MOS 器件工艺流程如下: 1. 晶片清洗:首先将硅晶圆进行清洗,去除表面的杂质和污垢,确保晶片表面干净。 2. 氧化层生长:在清洗后的硅晶圆表面生长一层氧化层,用于隔离栅极和硅基底。 3. 光刻:在氧化层表面涂覆光刻胶,然后使用光刻机进行曝光和显影,形成栅极的 图案。 4. 栅极沉积:将铝材料沉积在栅极图案上...