铁电负电容场效应晶体管 更新时间:2024年12月03日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 实力供应商 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥0.16/个 广东深圳 BFR951 SOT-23封装 高频晶体管 华本天成供应 质量稳定 欢迎订购 深圳市华本天成电子有限公司 6年 查看详情 ￥8.20/个 广东深圳 TI/德州...
由于晶体管无法处理产生的热量,场效应晶体管 (FET) 的尺寸可扩展性已达到玻尔兹曼暴政(Boltzmann tyranny)极限。将铁电负电容 (NC) 集成到场效应晶体管 (FET) 中有望打破这一基本功耗限制。然而,在非瞬态非迟滞状态下实现稳定的静态负电容仍然是一项艰巨的任务,因为关于稳定负电容的起源和机制的清晰、自洽的物理图景...
负电容场效应晶体管是一种在栅电压为负时工作的器件。其基本结构由负电容金属栅、异质结、铁电层和源极/漏极组成。在正向偏置下,负电容金属栅与铁电层之间形成一个电场,导致铁电层内部的极限区域发生显著变化。通过调节栅电压,可以控制源漏区域的载流子运动,实现对电流的精确控制。 基于铁电材料的负电容场效应晶体...
(2020 年 3 月 10 日收到; 2020 年 4 月 10 日收到修改稿)铁电负电容场效应晶体管可以突破传统金属氧化物半导体场效应晶体管中的玻尔兹曼限制, 将亚阈值摆幅降低到 60 mV/dec 以下, 极大地改善了晶体管的开关电流比和短沟道效应, 有效地降低了器件的功耗,为实现晶体管特征尺寸的减小和摩尔定律的延续提供...
基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管.pdf,本发明公开了一种基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管,主要解决现有器件亚阈值摆幅高及化学掺杂不稳定的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅极绝缘介质层(9)、栅极铁电层(10)、栅极金属电极(11),沟道两侧为源区(3)和漏区(4),该
本发明提供的高频负电容场效应晶体管,通过将具有快速铁电负电容效应的针状铁弹畴结构铁电薄膜作为栅介质层,结合特定的器件结构和工艺,克服了传统负电容场效应晶体管工作频率低、回滞大等问题。相比于同类器件而言,本发明产品具有运行速度快、回滞小和低功耗的突出优势,在微电子器件、军事军工和航天航空等领域具有重要...
铁电负电容场效应晶体管可以突破传统金属氧化物半导体场效应晶体管中的玻尔兹曼限制,将亚阈值摆幅降低到60 m V/dec以下,极大地改善了晶体管的开关电流比和短沟道效应,有效地降低了器件的功耗,为实现晶体管特征尺寸的减小和摩尔定律的延续提供了选择.本文分析总结了国内外近年来关于铁电负电容场效应晶体管代表性的研究...
建模与数值分析相结合的办法,重点研究铁电场效应晶体管的负电容效应。具体 内容和结论如下: (1)基于Landau-Ginzbug-Devonshire唯象模型、泊松方程以及电流连续性方 程,建立负电容SBT铁电栅场效应晶体管(FeFET)温度模型,并分析温度对其电 学性能的影响,计算结果表明,温度对负电容SBT场效应晶体管的电学性能有 ...
本申请涉及一种不同厚度铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括:衬底、埋氧化层、基于顶层形成的源区、基于顶层形成的漏区、基于顶层形成的全耗尽或部分耗尽的沟道、侧墙,以及源区漏区之间通过侧墙隔离的栅氧化层、负电容铁电层、金属层,其特征在于:所述负电容铁电层的厚度由源区至漏区方向不同,...
重点研究了铁电薄膜电容的保持性能与铁电场效应晶体管的负电容效应.具体内容和结论如下: 1,考虑金属电极-铁电界面层效应,我们对金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)结构电容的退极化场进行了理论推导,结合娄氏的极化保持性能模型,对影响MFIS结构电容保持性能的一些物理参数进行了探讨.结果表明:选择薄膜厚度相对厚一点,介电...