由于晶体管无法处理产生的热量,场效应晶体管 (FET) 的尺寸可扩展性已达到玻尔兹曼暴政(Boltzmann tyranny)极限。将铁电负电容 (NC) 集成到场效应晶体管 (FET) 中有望打破这一基本功耗限制。然而,在非瞬态非迟滞状态下实现稳定的静态负电容仍然是一项艰巨的任务,因为关于稳定负电容的起源和机制的清晰、自洽的物理图景...
摘要 本发明公开了一种ZrO2基反铁电负电容场效应晶体管,主要解决现有负电容场效应晶体管由于回滞特性对应用电路产生时序紊乱的问题。其自下而上包括衬底(1)、栅介质层(2)、栅电极(3);衬底(1)两边设有源电极(4)和漏电极(5);栅电极(3)与源电极(4)之间设有第一绝缘间隙壁(6);栅电极(3)与漏电极(5)之间...
(2020 年 3 月 10 日收到; 2020 年 4 月 10 日收到修改稿)铁电负电容场效应晶体管可以突破传统金属氧化物半导体场效应晶体管中的玻尔兹曼限制, 将亚阈值摆幅降低到 60 mV/dec 以下, 极大地改善了晶体管的开关电流比和短沟道效应, 有效地降低了器件的功耗,为实现晶体管特征尺寸的减小和摩尔定律的延续提供...
负电容场效应晶体管是一种在栅电压为负时工作的器件。其基本结构由负电容金属栅、异质结、铁电层和源极/漏极组成。在正向偏置下,负电容金属栅与铁电层之间形成一个电场,导致铁电层内部的极限区域发生显著变化。通过调节栅电压,可以控制源漏区域的载流子运动,实现对电流的精确控制。 基于铁电材料的负电容场效应晶体...
铁电负电容场效应晶体管(ferroelectric negative capacitance field effect transistors, Fe-NCFETs)是一种新兴的晶体管,其将传统MOSFETs 的栅极氧化介质层替换成铁电材料介质层, 放大栅压对沟道的作用效果,降低栅电容与沟道电容的比值,原理...
AssociateProfessorYongguangXiaoCollegeSchoolofMaterialsScienceandEngineeringProgramMaterialEngineeringSpecializationMicroelectronicMaterialsandDevicesDegreeMasterofEngineeringUniversityXiangtanUniversityDateMay,2018I摘要铁电场效应晶体管是在传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOS管)的基础上把传统栅极氧化物材料换成铁电材料。
一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法说明:本申请涉及一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括:衬底、埋氧化层、基于...专利查询请上爱企查
所述第一铁电层和所述第二铁电层的铁电材料不同,使得栅极不同材料的负电容铁电层对栅极电压放大作用呈线性放大,对栅极电压放大作用具有更好的控制能力,同时不同材料铁电层的负电容场效应晶体管在相同的栅压下具有更高的饱和区电流以及更低的亚阈值斜率,亚阈值斜率可以低于理论极限值60mV/dec,因此提升了晶体管的...
学校代码 10530 学 号 201099080061 分 类 号 TN384 密 级 铁电场效应晶体管 的保持性能与负电容效应研究 学位申请人 肖永光 指 导 教 师 唐明华 教授 学 院 名 称 材料与光电物理学院 学 科 专 业 材料科学与工程 研 究 方 向 铁电场效应晶体管存储器 二○一三年五月 Investigation of retention ...
(2)基于负电容效应,与Al2O3串联的CSD-HLO还能改善MOSFET(具有非晶氧化物沟道)的开关性能。因此,均匀分布的氧空位是稳定邻相的一个独立因素,可实现高效的无唤醒铁电性,而无需纳米结构、封端应力或氧反应电极。 An Aqueous Route to Oxygen-Deficient Wake-Up-Free La-Doped HfO2 Ferroelectrics for Negative Capacit...