MOCVD 的实现需要一定的条件,包括反应原料、反应器、反应气氛 和反应参数等。 - 反应原料:MOCVD 所用的反应原料,主要是金属有机化合物。对 于不同的金属有机化合物,其热分解温度、气相反应性和沉积速率等 性质都不相同。- 反应器:反应器是 MOCVD 的核心部分,通常使用的是平板反应 器或石英反应器,其主要作用是...
金属有机化学气相沉积法(MOCVD, Metal-organicChemical Vap扩蛋娘or Deposition) ,是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。 其他类似的名称如: MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)360百科、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OM强却证婷么厚CVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等,其...
1、金属有机化学气相沉积一、原理:金属有机化学气相沉积(MOCVD )是以川族、n族元素的有机化合物和v、w族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种川-V族、n-w族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积 系统(MOCVD是利用金属有机化合物...
有机金属化学气相沉积法，简称MOCVD，是一种在基板上生长半导体薄膜的重要技术。它的核心概念是通过金属有机化合物作为反应源，参与到薄膜的形成过程中。这种方法的其他命名包括MOVPE、OMVPE和OMCVD，其中"MO"或"OM"强调了金属有机物或有机金属化合物在生长过程中的关键作用，而"CVD"或"VPE"则分别代表...
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺,其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一利用气相反应物,或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3,在基材substrate表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 二...
MOCVD系统的各个组件包括反应腔、气体控制及混合系统、反应源及废气处理系统，它们共同协作完成有机金属化学气相沉积的过程。首先，反应腔（Reactor Chamber）是核心部分，主要由不锈钢或石英制造，内壁常有高温陶瓷内衬。腔体内设有乘载盘，一般使用石墨，既能吸收加热器能量以维持适宜的生长温度，又不会与...
MOCVD（有机金属化学气相沉积法）是一种广泛应用于薄膜生长过程中的技术。当携带流体（通常为氢气，但在特定情况下如InGaN薄膜生长时，氮气也可能被使用）经过有机金属反应源的装置时，反应源中的饱和蒸气会被输送到反应室，与其它反应气体混合。在加热的基板表面，这些气体发生化学反应，形成所需的薄膜层...
常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD), 以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影响, 并对其形貌进行了观察。结果表明: 随着沉积温度从503 K升高到713 K, 薄膜...
MOCVD成长薄膜时，主要将载流气体 (Carrier gas) 通过有机金属反应源的容器时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它反应气体混合，然后在被加热的基板上面发生化学反应促成薄膜的成长。 一般而言，载流气体通常是 氢气 ，但是也有些特殊情况下采用 氮气 （例如：成长 氮化铟镓 （InGaN）薄膜时）。