接触电势差:由于接触而产生的电势差,包括半导体与金属之间电势V_{ms}以及表面势V_s。 当金属与半导体间隙远大于原子间距,且W_m>W_s,此时,半导体表面势为0,半导体与金属之间电势V_{ms}: 表面势Vs:随着金属和半导体距离的减小,电子转移给金属,正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面层内(空间电荷区),并产生一...
摘要:在微电子和光电子器件中,半导体材料和金属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的,如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展,使得界面接触显得更加重要。从本节开始将介绍金…
弯曲。7.1.3 表面态对接触势垒的影响表面态对接触势垒的影响金属和半导体金属和半导体接触前接触前态密度很大态密度很大态密度较大态密度较大存在表面态,即使不与金属接触,半导体一侧产生电子势垒存在表面态,即使不与金属接触,半导体一侧产生电子势垒表面能级以下的能级电子已经填满,只能填到表面能级以上的表面能级以下的...
半导体接触中,两个半导体的原子结构相似,但杂质含量不同。同质接触中的半导体材料原子结构也相同,只是掺入了不同的杂质原子。 金属的原子结构与半导体不同,金属整体具有一种自由电子气,没有明显的晶格结构,金属中的自由电子在所有金属原子之间自由流动。 总体来看,半导...
半导体与器件-金属和半导体的接触
金属与半导体接触类型及其判断依据 3天前 一,金属与半导体接触类型 1.电子势垒型接触 电子势垒型接触是指金属与半导体之间存在一定的电子势垒,从而限制了电子的流动.此类接触在金属和n型半导体之间比较常见,因为n型半导体中的电子浓度较高,电子势垒也就较高. 2.空乏区型接触 空乏区...
1、什么是金属--半导体接触(MS结构)、金属--绝缘体--半导体接触(MIS结构)?2、画图并说明P型半导体在三种状态下的能带图。搜索 题目 1、什么是金属--半导体接触(MS结构)、金属--绝缘体--半导体接触(MIS结构)?2、画图并说明P型半导体在三种状态下的能带图。 答案 解析 ...
1、金属-半导体接触1.金属与半导体接触概论以集成电路(IC)技术为代表的半导体技术在近十几年来已经取得了迅速发展,带来的是一次又一次的信息科技进步,没有哪一种技术能像它一样,带来社会性的深刻变革。半导体技术的实现依赖于半导体的生产与应用,而在半导体的应用过程中,必然会涉及到半导体与金属电极的接触。大规模...
金属-半导体-金属(MSM)构型的器件可以作为整流二极管应用于整流电路中,从而将交流电转变为集成电路可使用的直流电。整流二极管具有单向导通的特性,因为电流的方向不同,载流子穿过二极管的势垒也不同,其中势垒的不对称性发挥着很大的作用。MSM结构一般是由两个具有不同肖特基势垒的金属-半导体(MS)异质结背靠背接触形成的。
近日,香港科技大学的杨征保教授团队报道了一种称为“摩擦电结”的新型动态金属-半导体接触模型。摩擦电结是由摩擦起电效应产生的空间电荷区,它主导了动态界面的电子-空穴分离过程,并促成了直流输出。通过理论和实验分析,研究者发现摩擦电结对输出电压有两个方面的影响:(1) 摩擦电结的方向决定了输出极性;(2) 摩擦电...