在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触?相关知识点: 试题来源: 解析 欧姆接触:如果半导体掺杂浓度足够高,隧道效应抵消势垒的影响,形成了双向低欧姆电阻值。 肖特基型接触:金属和掺杂浓度较低半导体结合面形成。类似PN结...
答:欧姆接触:金属与掺杂半导体接触时如里对接触区半导体材料重掺杂,使集中于半导体一侧的结(金属中有更大量的自由电子)变得非常薄,以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输,使得金属-半导全结具有双向低欧姆电阻值的导电特性。 肖特基接触:金属与掺杂半导体接触,使得金属与半导体在交界处形成阻挡层,处于平衡...
百度试题 题目【简答题】怎样条件下金属与半导体形成欧姆接触?怎样条件下金属与半导体形成肖特基接触?相关知识点: 试题来源: 解析 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触,金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触。反馈 收藏
百度试题 题目在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?在怎样的条件下金属 与半导体形成肖特基接触?相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
形成欧姆接触的条件：1. 金属的功函数与半导体的功函数接近。功函数是电子从费米能级跃迁到真空能级所需的能量。当金属与半导体的功函数相近时，电子可以容易地从金属流入半导体或从半导体流入金属，形成欧姆接触。2. 半导体表面重掺杂。重掺杂可以增加半导体中的载流子浓度，从而降低接触电阻，有利于形成欧姆...
A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触 B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触 C.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触 D.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触 点击查看答案 第3题 ...
在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触和肖特基接触? 答:欧姆接触:金属与掺杂半导体接触时如里对接触区半导体材料重掺杂,使集中于半导体一侧的结〔金属中有更大量的自由电子变得非常薄,以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输,使得金属-半导全结具有双向低欧姆电阻值的导电特性。 肖特基接触:金属与掺杂半...
答:欧姆接触:如果半导体掺杂浓度足够高,隧道效应抵消势垒的影响,形成了双向低欧姆电阻值。 肖特基型接触:金属和掺杂浓度较低半导体结合面形成。类似PN结3、说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。 答:因为非掺杂的多晶硅薄层实质上是半绝缘的,电阻率为300 W·cm 。而通过不同杂质的组合后,多晶硅的电阻率可被控制在 500—0....
答:欧姆接触:金属与掺杂半导体接触时如里对接触区半导体材料重掺杂,使集中于半导体一侧的结(金属中有更大量的自由电子)变得非常薄,以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输,使得金属-半导全结具有双向低欧姆电阻值的导电特性。 肖特基接触:金属与掺杂半导体接触,使得金属与半导体在交界处形成阻挡层,处于平衡...
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