在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触?相关知识点: 试题来源: 解析 欧姆接触:如果半导体掺杂浓度足够高,隧道效应抵消势垒的影响,形成了双向低欧姆电阻值。 肖特基型接触:金属和掺杂浓度较低半导体结合面形成。类似PN结...
百度试题 题目在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?在怎样的条件下金属 与半导体形成肖特基接触?相关知识点: 试题来源: 解析
答:欧姆接触:金属与掺杂半导体接触时如里对接触区半导体材料重掺杂,使集中于半导体一侧的结(金属中有更大量的自由电子)变得非常薄,以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输,使得金属-半导全结具有双向低欧姆电阻值的导电特性。 肖特基接触:金属与掺杂半导体接触,使得金属与半导体在交界处形成阻挡层,处于平衡...
答:欧姆接触:如果半导体掺杂浓度足够高,隧道效应抵消势垒的影响,形成了双向低欧姆电阻值。 肖特基型接触:金属和掺杂浓度较低半导体结合面形成。类似PN结3、说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。 答:因为非掺杂的多晶硅薄层实质上是半绝缘的,电阻率为300 W·cm 。而通过不同杂质的组合后,多晶硅的电阻率可被控制在 500—0....
在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触和肖特基接触? 答:欧姆接触:金属与掺杂半导体接触时如里对接触区半导体材料重掺杂,使集中于半导体一侧的结〔金属中有更大量的自由电子变得非常薄,以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输,使得金属-半导全结具有双向低欧姆电阻值的导电特性。 肖特基接触:金属与掺杂半...
答:欧姆接触:金属与掺杂半导体接触时如里对接触区半导体材料重掺杂,使集中于半导体一侧的结(金属中有更大量的自由电子)变得非常薄,以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输,使得金属-半导全结具有双向低欧姆电阻值的导电特性。 肖特基接触:金属与掺杂半导体接触,使得金属与半导体在交界处形成阻挡层,处于平衡...