金属和半导体的接触——金属和半导体的接触及能带图 1、金属和半导体的功函数 2、接触电势差 3、表面态对接触势垒的影响 更多内容 半导体和新能源作为材料专业里的浅坑获得了很高关注,也看过太多材料劝退文,不如且行且看!欢迎交流,欢迎讨论!! 如果有帮助,收藏之余,点个赞吧hhh!!今天加鸡腿! (ps.学识有限,本文...
第七章金属和半导体的接触 金属—半导体接触指由金属和半导体互相接触而形成的结构,简称M-S 接触。主要的金属与半导体接触类型:1、单向导电性的整流接触2、欧姆接触 §7.1M-S 接触的势垒模型 一、功函数和电子亲和能 要使一个电子能够逸出金属表面(即能够达到0E 以上的能级),需要给予电子的能量最少应为0m ...
金属和半导体的接触 第八章金属和半导体的接触 §8.1金属半导体接触及能级图 1.金属和半导体的功函数 金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。金属功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与金属的EF能量之差,即 WmE0(EF)m 上式表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要...
势垒高度较低:肖特基二极管的金属-半导体接触形成的Schottky势垒通常比PN结的势垒高度低。由于势垒高度与反向漏电流之间存在指数关系(Shockley理论),势垒高度较低会导致更大的反向漏电流。 无少数载流子注入:肖特基二极管在反向偏置时没有少数载流子注入,与PN结二极管不同。在PN结中,反向偏置会引起少数载流子的漂移扩散,但肖...
1、第七章第七章 金属和半导体的接触金属和半导体的接触本章主要内容本章主要内容n7.1 金属半导体接触及其能级图;金属半导体接触及其能级图; 7.2 金属半导体接触整流理论;金属半导体接触整流理论; 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触;少数载流子的注入和欧姆接触;金属金属半导体接触半导体接触由金属和半导体互相接触而形成的...
一、欧姆接触 欧姆接触是指金属和半导体接触面上存在着接触电阻,通过此处的电流符合欧姆定律。这意味着金属和半导体间的接触形成了一个低电阻通道,电子可以自由流动。 二、肖特基接触 肖特基接触是指金属和半导体之间的一种非欧姆接触,是指渗透的金属原子和半导体原子的结合会形成电荷间断面,从而形成屏障高度。在电池...
金属和半导体接触类型主要有欧姆接触、肖特基接触和滞后接触等。在制作过程中,需要保证金属和半导体的接触面洁净,确保接触面无氧化物和污染物,同时要保证接触面积充分。
金属和半导体的接触 1金属和半导体接触及其能带图 金属和半导体的功函数 金属 1.金属中电子虽然能在金属中自由运动,但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子 从金属中逸出,必须有外加能量。所以金属内部的电子是在一个势阱中运动。2.金属功函数的定义是真空中静止电子的能量E₀与费米能级Ef能量之差。
金属与半导体接触大致可以分为两类[1]:一种是具有整流特性的肖特基接触(也叫整流接触),另一种是类似普通电阻的欧姆接触。 金属与半导体接触特性与两种材料的功函数有关。所谓功函数,也称之为逸出功,是指材料的费米能级与真空能级之差,即W=E0-EF(E0为真空能级,EF为费米能级)。它是表征固体材料对电子的约束能...
金属—半导体接触 整流接触:微波技术和高速集成电路欧姆接触:电极制作 半导体器件重要部分 能级图 成为界面物理重要内容 整流特征欧姆接触 7.1金属半导体接触及其能级图 1.金属与半导体的功函数 功函数:金属中的电子从金属中逸出,需由外界供给它足够的能量,这个能量的最低值被称为功函数。E0为真空电子能级 金属中...