百度试题 题目选择性外延 相关知识点: 试题来源: 解析 是指利用外延生长的基本原理以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性,在硅表面指定区域生长外延层而其他区域不生长的技术。 反馈 收藏
源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层,利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长,仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。源漏选择性外延工艺一般包括外延前预清洗、外延 SiCoNi 清洗、原位氢气烘焙、选择性外延生长4个步骤。外延前预清洗一般在酸槽中进行,采用氢氟酸 (HF)和 RCA 清洗表面氧化层和杂质;...
半导体之选择性外延工艺介绍 描述 选择性外延工艺 通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长,可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。 下图显示了利用SEG SiC形成NMOS拉伸应变沟道,以及利用SEG SiGe形成PMOS压缩应变沟道。 多晶硅沉积 自从20世纪70年代中期离子注入被引入IC生产中作为硅掺...
本文报道了利用种子外延生长法合成具有特定取向的多级次金属有机骨架(MOF)异质结。通过调节MOF种子的结构、尺寸、形貌、维度以及种子和次级MOF的晶格失配度,来控制次级MOF在MOF晶种的特定晶面选择性的生长,最终得到一系列具有特定取向的多级次MOF异质...
1.一种选择性外延结构的形成方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供衬底,对所述衬底进行第一次刻蚀以在所述衬底中形成第一沟槽; 在所述第一沟槽内填充第一牺牲层,所述第一牺牲层上表面与所述衬底表面平齐; 在形成有所述第一牺牲层的所述衬底上方形成半导体结构,对所述半导体结构进行刻蚀以显露所述第一牺牲层; ...
本文报道了一种金属的相选择性外延生长,并成功制备了一系列新颖的金属纳米异质异相结构。首先,通过无定形Pd纳米材料的可控相变制备了非常规的六方密堆相(2H相)Pd纳米颗粒。随后,利用2H相Pd纳米颗粒为晶种,通过晶面导向的相选择性外延生长构建...
高考政治选择性必修三,明确外延的方法( 下)#网课学习 #每天学习一点点 #高中政治 - 高中政治陆老师于20240916发布在抖音,已经收获了1.2万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
1、历史认识类是指被要求在高中学习的课程，旨在培养初中毕业生对世界文化及历史运行机制的基本认识。2、经济认识类是指高中学习的一门课程，旨在培养学生对世界政治及经济方面的基本认识和理解。3、思想文化学科主要侧重于培养学生从宏观历史格局出发，熟练掌握中国传统文化、马克思主义基本原理及经济学或法学...
提高选择性外延生长的生长速率的方法.pdf 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中,该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度,将包含三氯硅烷(...