锗硅选择性外延在应变技术中的应用 王宸煜 【期刊名称】《集成电路应用》 【年(卷),期】2008(004)008 【摘要】多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在晶体管尺寸达到65nm以后,常规的微缩方法遇到了以短沟道效应为核心的一系列...