•注入氮气降低晶圆温度,然后升起钟形玻璃罩 •注入工艺氮气并卸载晶圆 • •系统闲置时注入吹除净化氮气 LPCVD多晶硅沉积过程主要由工艺温度、工艺压力、稀释过程的硅烷分压及掺杂物的浓度决定。虽然晶圆的间距和负载尺寸对沉积速率的影响较小,但对晶圆的均匀性相当重要。 多晶硅薄膜的电阻率很大程度上取决于沉积...
在一实施例中,提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法,该方法包含将具有单晶表面和第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一工艺反应室内,并且将该基板暴露在沉积气体下以在单晶表面上形成外延层并在第二表面上形成多晶层.该沉积气体较佳地含有硅源和至少一个第二元素源,例如锗源,碳源或两者.之后,该方法更涉及...
通常,在选择性外延工艺具有选择性的情况下,才对选择性外延工艺形成的外延层的厚度进行监控。具体地,所述外延工艺的选择性的监控方法包括提供半导体衬底,所述半导体衬底表面覆盖了一层氮化硅层,该氮化硅层具有一定的厚度,该厚度使得半导体衬底表面呈深蓝色;将所述氮化硅层放置于外延层沉积腔室中,进行选择性外延工艺;...
专利名称:活性碳的选择性外延工艺的制作方法 技术领域:0001本发明总体涉及半导体器件,并且更具体地涉及晶体管及其相 关的制造方法,其具有因沟道应变的改善的迁移率。 背景技术:0002常规的金属氧化物半导体(MOS)晶体管一般包括半导体衬底 比如硅,其具有源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道。包含导电 材料(栅导体...
选择性锗硅工艺可以分为两种工艺流程,一种是K4S561632N-LC75在形成侧墙offsct工艺之前嵌人锗硅(SiGe伍rst process),另一种是在源漏扩展区和侧墙工艺形成后嵌人锗硅(SiGe lastprocess),如图5.2所示[4]。 选择性锗硅外延工艺(Selective Epitaxy Growth,SiGe SEG)一般包含酸槽预处理、原位氢气烘焙(ill situ H2ba...
摘要 本发明提供一种选择性外延生长工艺的前处理方法以及半导体器件制造方法,采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理。由于含卤素气体的蚀刻性,半导体衬底表面的不平整缺陷就可以得到修复,从而得到缺陷较少或无缺陷的外延生长薄膜。又由于卤素原子与半导体衬底硅之间存在键合作用,半导体衬底表面被氯原子占据,同时氯原子在...
在所述选择性外延工艺后,测试所述第一区域的外延层的厚度,该厚度即为选择性外延工艺的厚度。 2.如权利要求1所述的选择性外延工艺的监控方法,其特征在于,所述半导体衬底的材质为硅,所述介质层的材质为氮化硅。 3.如权利要求2所述的选择性外延工艺的监控方法,其特征在于,所述介质层的厚度范围为800～1200埃,所...
选择性外延工艺的监控方法专利信息由爱企查专利频道提供,选择性外延工艺的监控方法说明:本发明提供选择性外延工艺的监控方法,包括:提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底;在所述第二区...专利查询请上爱企查
一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法,包括:将半导体衬底置于处理室内,并加热所述半导体衬底;向所述处理室内通入第一反应气体,以在该半导体衬底上形成外延层,所述第一反应气体包括第一蚀刻气体;向所述处理室内通入第二反应气体,以蚀刻所述外延层,所述第二反应气体包括第二蚀刻气体,所述第二蚀刻气体的流速比所...
●硅内应力技术之低温选择性锗硅外延生长工艺(LowTemperatureSelectiveSiGeEpi)当器件进一步微缩,随着电流密度的增大,迁移率的提升成为保证晶体管性能的关键,因此硅内应力技术在65nm结点成为非常重要的工艺技术,即通过导入局部的单向的拉伸或压缩应力到MOSFET的沟道,提升晶体管沟道内的载流子迁移率,从而在栅氧厚度变薄或...