集成电路制造外延工艺掩膜层FinFET。基于FinFET平台,阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化,通过开发出循环式外延锗硅工艺,对L1种子层B浓度提升带来的选择性... 周利民,陈勇跃 - 《集成电路应用》 被引量: 0发表: 2022年 基于硅锗/硅多量子阱材料的非制冷红外焦平面阵列研究 基底上外延生长硅锗薄膜的临...