本发明提供一种选择性外延生长工艺的前处理方法以及半导体器件制造方法,采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理.由于含卤素气体的蚀刻性,半导体衬底表面的不平整缺陷就可以得到修复,从而得到缺陷较少或无缺陷的外延生长薄膜.又由于卤素原子与半导体衬底硅之间存在键合作用,半导体衬底表面被氯原子占据,同时氯原子在硅表面...
摘要 本发明提供一种选择性外延生长工艺的前处理方法以及半导体器件制造方法,采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理。由于含卤素气体的蚀刻性,半导体衬底表面的不平整缺陷就可以得到修复,从而得到缺陷较少或无缺陷的外延生长薄膜。又由于卤素原子与半导体衬底硅之间存在键合作用,半导体衬底表面被氯原子占据,同时氯原子在...
本申请提供一种硅锗选择性外延生长工艺及FinFET结构的形成方法,所述硅锗选择性外延生长工艺包括:对半导体衬底表面执行预处理工艺;采用不含氯元素的硅源和锗源作为反应物,采用卤素化合物作为催化物,仅在所述半导体衬底表面形成硅锗外延层.本申请提供一种硅锗选择性外延生长工艺及FinFET结构的形成方法,采用不含氯元素的...
本发明提供一种选择性外延生长工艺的前处理方法以及半导体器件制造方法,采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理。由于含卤素气体的蚀刻性,半导体衬底表面的不平整缺陷就可以得到修复,从而得到缺陷较少或无缺陷的外延生长薄膜。又由于卤素原子与半导体衬底硅之间存在键合作用,半导体衬底表面被氯原子占据,同时氯原子在硅表面...