场效应管是一种半导体器件,用于电子设备中的放大、开关和调制等功能。根据其导电类型的不同,场效应管可以分为两种基本类型:N型场效应管和P型场效应管。 沟道(Channel) 沟道是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。 沟道--场效应管内部...
N沟道增强型垂直D -MOS 晶体管. 互联网 It also manifests that the degradation is different for the device with different channel doping density. 沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化则不同. 互联网 Sediments check dam in small watersheds in loess hilly gully area come from three proportion...
而对于窄沟道器件,计算阈值电压时需要考虑沟道宽度方向边缘处的表面耗尽层电荷的影响,即:V_{T,窄沟}=V_{FB}+2V_{B}+Q_{B}/C_{ox}+Q_{W}/C_{ox},因此,沟道宽度下降,阈值电压上升。 迁移率调制效应 沟道内载流子的迁移率受多种因素影响,如栅电场作用下晶格散射和表面散射使沟道迁移率下降,漏源电场...
一、轴承的沟道 轴承的沟道是轴承内部的直线通道,两侧有一定高度的高低点,用于固定轴承的滚珠或滚子。在高低点之间形成的曲线称为槽。沟道通常有远心球径,也有内心球径,根据沟道形状的不同,轴承的承载能力也会有所不同。 二、轴承的滚道 轴承的滚道则是沟道上滚珠或滚子的滚动通道。滚道是在轴承外环和内...
沟道的解释 (1).低凹如沟状的纹路或通道。 明 李时珍 《本草纲目·果一·李》﹝集解﹞引 苏颂 曰：“痤，乃接虑李也，一名麦李，细熟有沟道，与麦同熟。” 沙汀 《记贺龙》二五：“这里的大道，也同 冀中 其他地区一样，通通给老百姓挖毁了，全都成了半人深的沟道。”(2).指碑上刻出...
沟道宽长比,是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。沟道(channel)是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。 如下图所示: MOS管工作在非饱区时,I-V特性曲线公式近似为: 因此,沟道宽长比对MOS管来说是非常重要的一个参数指...
MOSFET的核心部分是栅极及其下面的MOS系统。MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层(导电沟道)来实现的。 (1)反型层(沟道)的产生和消除: 产生反型层或者使反型层消失,这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或者消失时的栅极电压就是器件的阈值电压VT。对于增强型器件,该阈值电压称为开启...
如上所述,N沟道MOSFET是一种电压控制器件,它分为增强型和耗尽型两种。 1、N沟道增强型MOSFET 一旦栅源电压为零伏特,增强型N沟道MOSFET通常会关闭,因此应向栅极端子提供电压,以便电流供应整个漏源沟道。 N沟道增强型MOSFET的工作原理与增强型P沟道MOSFET相同,只是结构和操作不同。在N沟道MOSFET中,轻掺杂的P型衬底可...
一、n沟道MOS管 结构 n沟道MOS管(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的结构主要包括:栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)。在n沟道MOS管中,源极和漏极之间是一个由硅材料制成的n型半导体区域,而栅极则位于这个n型半导体区域的上方,两者之间有一个绝缘层(通常是二氧化硅)。