沟道夹断的原理 相关知识点: 试题来源: 解析当MOSFET的漏源电压VDS增大到使栅极电压与阈值电压之差VGS-VT等于VDS时,漏极附近沟道被耗尽层完全夹断,电流进入饱和状态。沟道夹断的物理过程:1. 工作条件:在N沟道增强型MOSFET中,当栅源电压VGS > VT(阈值电压)时形成反型层导电沟道;...
MOSFET的线性区和饱和区根据V_DS是否超过V_GS-V_th划分,依据是现象的不同;沟道夹断指漏端沟道消失导致电流饱和的现象。 1. **线性区与饱和区的划分**: 当V_DS较小(V_DS < V_GS - V_th)时,沟道在整个漏源间连续存在,I_D与V_DS近似呈线性关系,称为线性区(或欧姆区)。 当V_DS增大至V_DS ...
绝缘栅型场效应管(MOSFET)是一种半导体器件,由源极、漏极和栅极等组成。其中,沟道是指从源极到漏极的导电区域。沟道夹断区是指沟道中空穴和电子浓度相等的区域,也称为中性区。 二、沟道夹断区的形成 当绝缘栅型场效应管工作时,栅电压和源漏电压之间的关系将影...
实际器件中两种条件常同时存在:低栅压会降低沟道载流子浓度,而高源漏电压则加剧漏端电场畸变。当两者共同作用时,夹断现象会提前出现。例如在短沟道器件中,栅压仅略低于阈值时,较小的源漏电压即可触发夹断,这种现象在纳米级晶体管中尤为显著。这种耦合作用会导致电流饱和效应,是场效应...
电阻越大，VDS主要用于克服导电沟道夹断导致的电阻的上升对电流的影响，而VGS的增加则可拓宽导电沟道，...
[解答]①因为场效应晶体管的沟道(强反型层)是在半导体表面耗尽层厚度达到最大后才形成的,因此在没有出现沟道时,半导体表面也往往是耗尽的(如弱反型层)。沟道夹断,即是在夹断区把沟道变成了耗尽层,因此夹断区是高电场区,其中的电场并不形成阻挡载流子漂移运动的势垒,而实际上载流子在夹断区中运动得更快。沟道...
原因是虽然理论上沟道已经“夹断”，但这个夹断点很薄弱。为什么说它薄弱？因为夹断点后面支撑它的不是...
绝缘栅型场效应管的沟道夹断区位于沟道与P型基区之间。当绝缘栅型场效应管处于截止态时,沟道中没有自由电子,此时沟道两端形成PN结,位于两端的P型区域形成了沟道夹断区。这个区域的形成与沟道宽度和材料有关。 三、绝缘栅型场效应管的应用场景 绝缘栅型场效应管具有结构简单、...
分析当mos管进入饱和区后,沟道夹断的原理。 MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor)是一种常用的半导体元件,它的特点是其导通电压可以通过改变沟道电压而改变。当mos管进入饱和区后,沟道夹断现象便可能发生。 一般来说,进入mos管饱和区后,若VL和VH不等,则在一定范围内,沟道将处于夹断状态,这就意味着沟道电流将起到...
当漏极电压继续升高,如果超过栅电压,造成沟道右边不满足开通条件而“夹断”。之所以出现夹断点,是因为在这个点,栅极对电子的吸引力被漏极取代。这时候MOS管进入“饱和区”,电流很难继续随电压增大。 很多同学理解不了既然这时候沟道夹断了,不是应该截止了吗?为什么还会继续有电流?