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类型 P+P沟道MOS管 型号 AO4803 双P沟道MOS AO4803的引脚图: 双P沟道MOS AO4803的极限参数(如无特殊说明,TA=25℃): 漏极-源极电压 VDS:-30V 栅极-源极电压 VGS:±20V 漏极电流-连续 ID:-5A 漏极电流-脉冲 IDM:-30A 功耗PD:2W 工作结温和存储温度 TJ,TSTG:-55~+150℃ 双P沟道MOS AO4803的...
双极型mos管的结构：p沟道和n沟道的结构相同，只是导电类型不同。企业名片 在pn结中，两个电极分别接有栅极和漏极，形成由p型和n型的导电沟道组成的电路。当加正向电压时，由于p+端被拉向漏极方向而形成电流；当加反向电压时，由于p-端被推往栅极而阻断电流。所以它是一种具有单向导电特性的器件。双极性晶体管...
产品类别:场效应管/MOSFETs-20-100V/低压MOS管 联系人:颜先生/William 电话:0755-82170220,21001680 产品详情 双P沟道MOS管 FKS3301 东沅现货 说明 FKS3301是高单元密度沟槽式P-ch MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。FKS3301符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准...
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