所以当mos管进入饱和区后,沟道的夹断机制就会起作用,即介质晶体管和沟道电压之间的变化导致沟道和电流的变化,从而实现对沟道电流的抑制。 沟道夹断的作用不仅限于mos管的饱和区,它也可以应用于其他半导体元件,如装置控制器、稳流器、马达控制器等。沟道夹断的基本原理虽同mos管一致,但应用机制可能会稍有不同。在...
当MOS管处在饱和工作区时,导电沟道相当于一个零电阻的导体A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:UDS=-3V,UGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。A.正确B.错误
反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。
百度试题 题目在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流() A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先减小后增大 相关知识点: 试题来源: 解析 A.增大 反馈 收藏
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只要Ugs大于开启电压，就会在漏极D与源极S间产生导电沟，并且随着Ugs电压增加导电沟变宽，D、S极电阻将越小，当Ugs小于开启电压时，导电沟消失。D、S极阻值变大关断。
2-4、MOS管分为P沟道和N沟道MOS管,P沟道MOS管相当于NPN型晶体三极管,N沟道MOS管相当于PNP型晶体三极管,下面描述正确的是()。 A.晶体三极管和MOS管都是电流控制元件。B.晶体三极管是电压控制元件,MOS管是电流控制元件。C.晶体三极管是电流控制元件,MOS管是电压控制元件。D.晶体三极管和MOS管都是电压控制元件。
Ugs<0的时候，沟道变窄，电流减小，MOS管靠导电沟道通电的，而导电沟道是由Ugs来决定的。
百度试题 题目设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=4.2V时,该管处于 ( )状态。A.截止B.饱和C.放大D.无法判断 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏