其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变电阻区,而三极管则是饱和区,没有可变电阻区的说法。 从图中也能明显看出,MOS管在可变电阻区内,Vgs一定时,Id和Vds近似为线性关系,不同Vgs值对应不同的曲线斜率,即漏极D和源极S之间的电阻值Rds受控于Vgs;而三极管在饱和区内,不同Ib值的曲线都重合在一起,即曲线斜率相同...
其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变电阻区,而三极管则是饱和区,没有可变电阻区的说法。从图中也能明显看出,MOS管在可变电阻区内,Vgs一定时,Id和Vds近似为线性关系,不同Vgs值对应不同的曲线斜率,即漏极D和源极S之间的电阻值Rds受控于Vgs;而三极管在饱和区内,不同Ib值的曲线都重合在一起,即曲线斜率相同,...
正如之前在简要回顾 MOSFET 结构时所说,晶体管在三个区域工作:关断区、三极管和饱和区。大多数情况下,我们在饱和区域工作。在饱和区,栅源电容 CGS 可以使用以下公式计算: 在饱和区,我们电路中的最高电容是 CGS。晶体管栅极的输入电容等于Cin=CGS,并且工作在饱和区,该值可以使用公式(1)计算。与栅漏电容 CGD 相比...
往期视频我们提到MOS管不同于三极管，它属于电压控制型器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中，也是需要电流的，这是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs以及Cds。MOS管的规格书参数对应：Cgd=Crss；Cds=Coss-Crss；Cgs=Ciss-Crss 首先MOS管的导通条件，是Vgs电压至少需要达到阈值电压Vgs(th)，它通过栅极...
往期视频我们提到MOS管不同于三极管,它属于电压控制型器件,但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中,也是需要电流的,这是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd,Cgs以及Cds。 MOS管的规格书参数对应: Cgd=Crss; …
往期视频我们提到MOS管不同于三极管,它属于电压控制型器件,但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中,也是需要电流的,这是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd,Cgs以及Cds。 因为MOS开通时,Vd>…
也就是MOS管没有二次击穿现象,可见采用MOS管作为开关管,其开关管的损坏率大幅度的降低,近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后,开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。 4)、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性; 普通晶体三极管在饱和导通是,几乎是直通,有一个极低的压降,称为饱和压降,既然有...
当MOS管驱动能力不足时，我们会使用推挽电路来放大电流，但是MOS管明明是压控型器件，为什么要去考虑电流大小呢？推挽工作原理：由电源IC发出占空比信号，也就是这个方波，通过电阻限流到达三极管的基极：上管是npn下管是pnp。当信号为高电平输出到达三极管基极时，Q1导通，（npn在高电平时导通），随后MOS管导通。当...
受工艺特性影响,MOS管内部GS、DS、GD间存在寄生电容,在MOS栅极施加电压时,MOS内部的Cgs、Cgd电容会先后开始充电,充电过程详见图3。 t0~t2阶段:VGS首先给Cgs充电,随着VGS的上升,MOS管从截止区进入可变电阻区。进入可变电阻区后,IDS电流增大,但此时VDS电压几乎不变。
往期视频我们提到MOS管不同于三极管,它属于电压控制型器件,但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中,也是需要电流的,这是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd,Cgs以及Cds。 MOS管的规格书参数对应: Cgd=Crss; Cds=Coss-Crss; Cgs=Ciss-Crss 首先MOS管的导通条件,是Vgs电压至少需要达到阈值电压Vgs(th),它通过栅极电...