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而P 沟道 MOS 管则是以一个掺入了少量负离子的N型半导体做为衬底，在衬底上制作两个 P + 区作为源极和漏极。随后，也是一样的，在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅极。二、工作原理方面 虽然N沟道MOS管和P沟道MOS管在工作原理上基本一样，都是通过栅极电压来控制沟道的导电性，但是，它们在实现这...
N沟道增强型MOS管的结构混合浓度低的一块P在型硅衬底上，制作两高掺杂浓度的硅衬底N 区用金属铝引出两...
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一、P沟道MOS管的工作原理 P沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子电路中。其工作原理基于场效应原理,通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。 基本结构