ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT：1460K的光刻分辨率为≤65nm，但是套刻精度更高（＜5nm）。虽然这款国产DUV光刻机的分辨率也是≤65nm，都可以做65nm制程甚至更先进一些芯片，但是由于该国产光刻机套刻精度误差更大，这也将导致其良率水平可能相对会低一些。也就是说，该国产DUV光刻机
套刻精度(OverlayAccuracy)的基本含义时指前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度(3σ),如果对准的偏差过大,就会直接影响产品的良率。对于高阶的光刻机,一般设备供应商就套刻精度会提供两个数值,一种是单机自身的两次套刻误差,另一种是两台设备(不同设备)间的套刻误差。套刻精度的具体指标On Product Overlay ...
《中国经营报》记者注意到，该文件一经发布后，关于国产光刻机取得大突破的言论“喜大普奔”，还有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。事实上，套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度，而≤8nm的套刻精度并不一定代表能制造8nm工艺的芯片。“光刻机套刻小于8纳米，逻辑上对应的区间，也能上到成熟区间...
套刻误差的定义是两层图形结构中心之间的平面距离。随着集成电路的层数不断增多,多重图形和多重曝光的光刻工艺被广泛应用,不同步骤形成的电路图形之间的套刻精度愈发重要。套刻误差过大形成的错位,会导致整个电路失效报废。套刻误差测量设备,用于确保不同层级电路图形,
总的来说，光刻机套刻的目的是实现芯片电路图案的高精度转移，是集成电路制造中不可或缺的关键工艺之一...
1. 套刻误差的控制方法 在盖房子时，根据设计需求，通常先需要建地基，地基就规定了墙壁位置，然后再才用铅垂线和水平仪控制房屋在建造时不会偏离。芯片制造时，也需要在晶圆表面曝光第0层(zero)，这一层主要是将用于对准的标志(mark)曝光于晶圆表面，在往上堆叠层(lay)时，每一层都需要与第0层的mark进行对准...
在9月上旬，工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，其中，两款国产光刻机赫然在列，尤其是氟化氩光刻机，其波长为193nm，属于深紫外光DUV范畴，分辨率在65nm以下，其套刻精度更是达到了比8nm更小的水准！此目录一经公示，迅速引起了全球科技界的广泛关注。对于套刻精度≤8nm这些...
它是将芯片的电路图案刻写到半导体材料上的关键步骤。套刻技术的发展,不仅推动了半导体产业的快速发展,也改变了我们现代生活的方方面面。 在套刻过程中,首先需要制作光刻掩膜。光刻掩膜是一种特殊的薄膜,上面印有芯片电路的图案。然后,将光刻掩膜放置在半导体材料上,并通过紫外光照射,使光刻掩膜上的图案转移到半导体...
东方晶源的PanOVL软件利用PanGen OPC®引擎以及PanGen Sim®严格电磁场仿真引擎，借助GPU+CPU混算平台和PanGen®分布式计算框架，可以进行大规模套刻标记仿真，并综合多个维度的仿真结果优选出表现更佳的套刻标记方案用于实际光刻工艺。 PanOVL可以识别具有较大工艺窗口的套刻标记、给出满足良好信噪比并且探测信号抗...