总的来说，光刻机套刻的目的是实现芯片电路图案的高精度转移，是集成电路制造中不可或缺的关键工艺之一...
“套刻”是一种美术制作的方法，也是一种版画技法。它是指在一块被称为母版的材料上制作一幅图案，然后再将图案转印到另一块被称为副版的材料上。通过这种方式，可以实现大量的印刷，并保持每张印刷品的一致性。套刻技术最初起源于中国，在汉朝时期就已经存在了。随后，这项技术传入到朝鲜半岛和日本...
套刻精度(OverlayAccuracy)的基本含义时指前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度(3σ),如果对准的偏差过大,就会直接影响产品的良率。对于高阶的光刻机,一般设备供应商就套刻精度会提供两个数值,一种是单机自身的两次套刻误差,另一种是两台设备(不同设备)间的套刻误差。套刻精度的具体指标On Product Overlay ...
其中,第二层掩模曝光的图形必须和第一层掩模曝光准确的套叠在一起,故称之为套刻。如图1所示,假设图中的虚线框为第一掩模经曝光的图形,实线框为第二个经曝光后的图形。从理论上讲,这两层图形应该完全重合,但实际上由于各种系统误差和偶然误差的存在,导致了这两层图形的位置发生了...
ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT：1460K的光刻分辨率为≤65nm，但是套刻精度更高（＜5nm）。虽然这款国产DUV光刻机的分辨率也是≤65nm，都可以做65nm制程甚至更先进一些芯片，但是由于该国产光刻机套刻精度误差更大，这也将导致其良率水平可能相对会低一些。也就是说，该国产DUV光刻机的性能甚至要低于ASML...
通常是在曝光区域的边缘，又叫“scribeline”或“kerf”区域。最简单的套刻标识是所谓的套叠方框图形（frame-in-frame），如图1所示。方框整体的尺寸是20~50um，线宽是1~3um。这个尺寸保证了它们在光学显微镜下能被清楚地分辨出来。套叠方框图形内部的小方框位于参考层中，外方框位于当前的光刻胶中。
1. 套刻误差的控制方法 在盖房子时，根据设计需求，通常先需要建地基，地基就规定了墙壁位置，然后再才用铅垂线和水平仪控制房屋在建造时不会偏离。芯片制造时，也需要在晶圆表面曝光第0层(zero)，这一层主要是将用于对准的标志(mark)曝光于晶圆表面，在往上堆叠层(lay)时，每一层都需要与第0层的mark进行对准...
东方晶源的PanOVL软件利用PanGen OPC®引擎以及PanGen Sim®严格电磁场仿真引擎，借助GPU+CPU混算平台和PanGen®分布式计算框架，可以进行大规模套刻标记仿真，并综合多个维度的仿真结果优选出表现更佳的套刻标记方案用于实际光刻工艺。 PanOVL可以识别具有较大工艺窗口的套刻标记、给出满足良好信噪比并且探测信号抗...