随后要在wafer上继续通过光刻胶图案刻蚀出通孔来连接金属线,就要光刻胶和金属线条进行对准,金属线条称为参考层,通孔对应的光刻胶图案称为当前层,当前层与参考层之间的偏差就是套刻误差,套刻误差越小越好,如果偏差过大导致通孔没有和金属线连在一起将导致断路,这是芯片制造中必须要避免的。 带有参考层的wafer...
国际半导体技术路线图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS)对每一个技术节点的光刻工艺都提出了套刻误差的要求,如表1所示。从表中可以看出,随着技术节点的推进,关键光刻层允许的对准偏差(即套刻误差)是以大约80%的比例缩小。例如,20nm节点中关键层的套...
本文分析了常见的影响套刻误差的因素，套刻误差的概念可以参考盖房子或者搭积木，只是芯片制造时，其精密度极高，如果工艺允许的套刻误差规格在8纳米，工艺本身引入4 nm的套刻误差，那么对于机台的精密度要求将更高。因而机台的精密度不够，势必难以满足工艺制程需求。因此设备精密度是制约国产光刻机的一个重要原因。
从表中可以看出,随着技术节点的推进,关键光刻层允许的对准偏差(即套刻误差)是以大约80%的比例缩小。例如,20nm节点中关键层的套刻误差要求(|mean| 3σ)是8.0nm[2] 。 表1 每一个技术节点允许的套刻误差[2] 在光刻工艺中,套刻误差是通过光刻机对准系统、套刻误差测量设备和对准修正软件三部分协同工作来减小...
套刻误差是半导体制造中的一个重要问题,指的是芯片上图案的位置与期望位置之间的偏差。测量套刻误差需要对芯片进行照射,以获得精确的测量结果。常用的套刻误差测量方法包括照射法、扫描电镜法和散射学法等。 二、常用套刻误差测量光源 1. 接触式光源 接触式光源是套刻误差测量中最常用的光源之一,通...
向量测标识打入一道均匀的光束，光束透过当成量测标识时发生衍射，衍射光束达到前层后反射，对反射回来的衍射光斑进行分析可求得套刻误差。由于前层和当层并不严格对准，光斑每个像素点的光强关于原点并不对称。ASML研发工作者发现，对于±1阶光而言，这个不对称信号与套刻误差一定范围（这个误差范围窗口远大于目前晶圆...
而光刻机的套刻误差是指在多次套刻过程中,所得到的图像的偏差幅度,通常用微米来表示。在实际应用中,光刻机的分辨率和套刻误差常常是需要进行平衡的。 实验表明,当光刻机的分辨率提高时,可以使得套刻误差降低。这是因为,在高分辨率的情况下,相同的偏差会对应着更小的长度,从而对套刻误...
但由于各种系统误差和偶然误差的存在,这两层图形的位置可能会发生偏离,这就是我们所说的“套刻误差”。这种误差不仅影响芯片的性能,还可能降低其良品率。因此,光刻机的设计和制造过程中,对套刻误差的控制至关重要。只有通过精确的工艺和严格的质量控制,才能确保芯片制造的精度和可靠性。
杭州积海申请套刻误差标记图形及形成等专利，提高套刻误差整体量测数据的精准度 金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“套刻误差标记图形及形成方法、测量方法”的专利，公开号CN 119126511 A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种套刻误差标记...
本申请通过波长赋权重，提高了多种形变情况下的套刻误差测量的精确性；辅助以声场或热场对埋藏在晶圆内的对准光栅进行测量，实现了套刻误差的多种形变及埋藏在晶圆内的位置确定和套刻误差测量，提高了适应范围，便于在半导体量检测和加工领域推广应用。本文源自：金融界 作者：情报员 ...