士兰微近日披露的半年报显示，2024年上半年，该公司分立器件产品营收为23.99亿元，同比增长约4%，其中超结MOSFET、IGBT器件、IGBT大功率模块（PIM）、快恢复管、TVS管、稳压管等产品的增长较快，公司的超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET、SiC MOSFET等分立器件的技术平台研发持续获得较快进展，产品性能达...
清纯半导体SiC MOSFET年度销售额首次突破亿元,2024年实现SiC MOSFET年度出货超过500万颗,批量应用在光伏与储能、充电桩及高端电源等领域,成为SiC MOSFET国产器件主流供应商之一;2024年清纯半导体SiC MOSFT获得了国际头部车企的主驱芯片研发定点,将在未来3年内不断开发并交付业界领先的SiC主驱芯片;已量产的主驱SiC MOSFE...
士兰微:本次展会士兰微带来的亮点产品包括已经上车的B3D和B3G 两款SiC功率模块。这两款功率模块已经在2024年Q1阶段交付终端并批量使用,这两款模块搭配士兰自主研发和流片的平面SiC MOSFET,单颗管芯尺寸为25mm,对应全桥模块导通电阻(RdsON)可以达到13.5m。 目前,这两款SiC模块均为士兰微电子自主研发及流片,有750V...
士兰微近日披露的半年报显示,2024年上半年,该公司分立器件产品营收为23.99亿元,同比增长约4%,其中超结MOSFET、IGBT器件、IGBT大功率模块(PIM)、快恢复管、TVS管、稳压管等产品的增长较快,公司的超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET、SiC MOSFET等分立器件的技术平台研发持续获得较快进展,产品性能达到业内...
士兰微还完成了三代平面栅SiC MOSFET技术的开发，正加快将其导入量产。士兰微正积极布局8英寸SiC功率器件芯片生产线，计划总投资规模为120亿元，建成后将形成年产72万片的生产能力。这一项目不仅有助于士兰微加快实现SiC功率器件的产业化，而且将进一步完善其在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强公司的核心竞争...
“公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽车级功率模块(PIM)产能的建设,预计今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模块(IGBT模块和SiC 模块)等产品的营业收入将快速成长。”士兰微董事会表示。 此前,2024年5月,士兰微公告宣布拟总投资120亿元在厦门市海沧区建设一条以SiCMOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制...
此外,2024年5月21日,厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子在厦门共同签署了《战略合作框架协议》:各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。 该项目分两期建设,项目一期投资规模70亿元,二期投资规模约50亿元,两期建设完成后,将形成年产72万片8英寸SiC功...
沟槽型SiCMOSFET 等新一代碳化硅器件,并推动第二代SiC MOSFET的量产爬坡 士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障,其正在建设的8吋碳化硅量产线也将为清纯半导体提供独家代工服务。 据“行家说三代半”此前报道,士兰微子公司士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线目前正在进行上部结构施工,预计将在2025年一季度...
士兰微近日接受机构调研时表示，2022年，士兰明镓已着手实施“SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。四季度，SiC芯片生产线已实现初步通线，并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。目前公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率...
“公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽车级功率模块(PIM)产能的建设,预计今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模块(IGBT模块和SiC 模块)等产品的营业收入将快速成长。”士兰微董事会表示。 此前,2024年5月,士兰微公告宣布拟总投资120亿元在厦门市海沧区建设一条以SiCMOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制...