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比较黑色幽默的是，如果产品出现问题很多PIE就会盯着刻蚀去搞，因为别的部门很难去improve，只有刻蚀来cove...
其中光刻、刻蚀、沉积/薄膜设备是占比最大的三个环节;一个芯片产线的投资,有80%投入到设备,而这80%中的80%会投入到这三个环节。 【光刻机,国产化率0%】光刻是芯片生产中技术含量最高、复杂程度最高、成本最...
刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备,分别占晶圆制造设备价值量的约24%、23%和18%。
在晶圆制造中,可分为7大工艺,分别为氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗和金属化,所对应的专用设备主要包括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、机械抛光设备等。 集成电路主要资本开支中用于芯片制造设备的设备投资占比约80%。
刻蚀/光刻/良率/薄膜/整合 工艺/设备岗 - K· 薪 某大型电子公司 更换职位 招聘中 数字后端工程师 - K 华芯巨数 半导体/芯片 天使轮 更换职位 立即沟通 职位详情 杭州 3-5年 本科 刻蚀 光刻 半导体 薄膜 蚀刻 干刻 任职要求: 1、从事刻蚀/光刻/薄膜 工艺行业工作4年及以上经验; 2、本科及以上学...
光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备是芯片制造过程中的三大核心设备,如果把芯片比作一幅平面雕刻作品,那么光刻机是打草稿的画笔,刻蚀机是雕刻刀,沉积的薄膜则是构成作品的材料。光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸,刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工,因此光刻、刻蚀和薄膜沉积设备是芯片加工过程中最...
薄膜沉积工艺中由于CVD技术路线较多,具有较好的孔隙填充和膜厚控制能力,CVD在金 属沉积方面的应用正在增加。 沉积设备:线宽微缩+结构3D化,催生成倍需求 逻辑芯片:摩尔定律下需要采用多重曝光工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小线宽 ,由此带动薄膜沉积设备需求成倍增加。对比中芯国际180nm和90nm产线设备用量,...
光刻刻蚀量测的优点包括量测精度高、适用范围广、可重复性好等。缺点则包括制备掩膜和光刻图形的成本较高、对薄膜材料和刻蚀液体系要求较高等。因此,在进行薄膜量测时需要根据具体情况选择合适的量测方法。 四、结语 本文介绍了光刻刻蚀量测薄膜的方法与技巧,包括薄膜刻蚀的原理...
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等。 光刻的目的是把设计好的图形转印到晶圆上。首先我们在晶圆上层光刻胶,光刻胶(正胶)的特性是经过特定频率光线的照射后,可以溶解在显影液里。然后将设计好图形的掩膜版罩在晶圆之上,用光刻机进行曝光,有些光线透过掩膜版照射到...