刻蚀大概分为CCP和ICP,两者规模大概55开,NAND方面CCP用的多,Dram和逻辑ICP用的多一点。CCP中微是强项,ICP北方华创强项,这几年北方华创也开始做CCP,中微ICP也在发力,更何况尹总以前是做ICP的,个人感觉中微ICP领域的竞争力要比北方华创在CCP领域要强一些。 薄膜北方华创强项是PVD+炉管,目前是国内读一档的存在,此...
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芯片制造三大设备——光刻、刻蚀与薄膜沉积。芯片行业主要包含三个细分子行业,分别是集成电路设计、芯片制造、封装测试。从产业链分布来看,芯片行业上游是半导体材料及设备;中游是设计、制造、封测三个关键环节...
@苏州博纳微电子科技有限公司光刻,刻蚀,扩散,薄膜 苏州博纳微电子科技有限公司 光刻、刻蚀、扩散、薄膜都是半导体芯片生产中的重要工艺步骤呢。光刻是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来,类似照相机照相;刻蚀则是对光刻胶下方的材料进行去除,有干法和湿法两种;扩散是让杂质原子进入半导体材料中的过程;薄膜沉积则是...
芯片制造核心技术主要包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等工艺,这些技术决定了芯片的物理结构和性能。寒武纪的云端和边缘应用场景的多样化需求会促进芯片厂商对芯片性能(如更高的运算速度、更低的功耗等)进行不断改进,从这个意义上说,它们起到辅助芯片技术发展的作用。
比较黑色幽默的是，如果产品出现问题很多PIE就会盯着刻蚀去搞，因为别的部门很难去improve，只有刻蚀来...
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等。 光刻的目的是把设计好的图形转印到晶圆上。首先我们在晶圆上层光刻胶,光刻胶(正胶)的特性是经过特定频率光线的照射后,…
薄膜沉积 🧪 在刻蚀步骤之后,通常需要进行薄膜沉积,以创建芯片内部的微型器件。这一步是构建复杂电路结构的关键。 循环与进步 🔄 这个流程不断循环进行,以构建出复杂精细的电路结构。随着半导体技术的发展,刻蚀工艺也在不断进步,从最初的湿法刻蚀转向干法刻蚀,以适应更精细的电路图案需求。0...