本发明提供一互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器.该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上,各像素的至少一边宽度小于或等于3微米.至少一介电层设置于基底上,覆盖该光感测像素阵列.一彩色滤光层设置于该至少一介电层上.其中,所有该至少一介电层与该彩色滤光层的厚度总和除以该像素的任意一边...
摘要 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,在完成常规介质隔离后,在硅衬底上形成界面SiO2-1,接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-1,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1,腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质。然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-...
百度试题 题目TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。相关知识点: 试题来源: 解析 正确
CMOS是()集成电路A.晶体管-晶体管逻辑电路B.N型金属-氧化物-半导体C.金属氧化物半导体场效应D.互补金属氧化物半导体
[发明专利]应变鳍型场效应晶体管互补金属氧化物半导体器件结构有效专利信息 申请号: 02829920.5 申请日: 2002-11-25 公开(公告)号: CN1695227A 公开(公告)日: 2005-11-09 发明(设计)人: 布鲁斯·B·多丽丝;杜里塞蒂·奇达姆巴拉奥;米凯·耶翁;杰克·A·曼德尔曼 申请(专利权)人: 国际商业机器公司 主分类...
专利名称:应变鳍型场效应晶体管互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法 技术领域:本发明涉及双栅极半导体器件结构,尤其涉及FinFET器件。 背景技术: 由于获得近乎理想的亚阈值斜率(sub-threshold slope)的能力、不存在体效应、免于短沟道效应以及非常高的电流驱动能力,双栅极半导体器件结构是未来一代微电子器件有前途的...
一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,在完成常规介质隔离后,在硅衬底上形成界面SiO2-1,接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-1,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1,腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质.然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-2,光刻...
一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,在完成常规介质隔离后,在硅衬底上形成界面SiO2-1,接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-1,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1,腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质.然后形成界面SiO2-2和第二种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-2,光刻...
一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,在完成常规介质隔离后,在硅衬底上形成界面SiO 2 -1,接着形成第一种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜-1,光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1,腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属栅和高K栅介质.然后形成界面SiO 2 -2和第二种高K栅介质/金属栅叠层,并生长硬掩膜...
互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器CNdoi:CN1750266 A许慈轩杨敦年王文德钱河清伍寿国