先来来看看第8代V-NAND TLC,堆叠层数高达236层,比起第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高,自然也比990 EVO的133层第6代V-NAND(V6 Prime)要高得多。第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4Gbps,比上一代提升了1.2倍,这使其可满足PCIe 4.0及PCIe 5.0的要求。它的丝...
据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。其中...
IT之家 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破，IT之家汇总如下：通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高...
快科技11月5日消息，三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本，支持PCIe 4.0/5.0和最新的NAND闪存技术，首发1899元。新款SSD采用M.2 2280规格，重量约为9g，采用了PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口，支持NVMe 2.0协议，搭载了三星5nm自研控制器和第8代V-NAND TLC闪存。最大连续读写速度分为7250MB/s和6...
IT之家 11 月 5 日消息，姗姗来迟的三星 990 EVO Plus 4TB 版本固态硬盘已于上周六开售，首发到手价 1899 元。这款固态硬盘整体尺寸 80.15 x 22.15 x 2.38mm，为 M.2 2280 规格，重约 9g，搭载了三星 5nm 自研控制器和第 8 代 V-NAND TLC 闪存。这款产品支持 NVMe 2.0 协议，采用 PCle4.0 ...
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
12月4日消息，据Tom's hardware报道，三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。报道称，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元 3 位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128 GB）。三星声称其新的超400层 3D TLC NAND Flash的存储密度为...
快科技12月5日消息,据媒体报道,三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash,接口速度可达5.6 GT/s。 三星的这一新一代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元3位)架构,每个芯片的容量为1Tb(128GB)。 三星声称,其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm...
三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟 今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元...
全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已開始量產1Tb QLC(quad-level cell)第九代垂直NAND(V-NAND)。 繼今年4月領先業界投產TLC(triple-level cell)第九代V-NAND,三星再次獨步全球,量產QLC第九代V-NAND,鞏固其在高容量、高效能NAND快閃記憶體市場的領導地位。