3D V-NAND闪存 (3D垂直NAND闪存) 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺,缩小相邻存储单元之间的间隙。但,这一方式增加了电子泄露干扰。所以,三星半导体开发了一种三维垂直堆叠单层存储单元的创新结构,以克服这一问题...
据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。其中...
2024年9月24日,三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性,成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。 三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991,能效提高...
microSD 存储卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先进的 V-NAND 技术, 可安全可靠地捕捉和存储日常瞬间 性能提升后,顺序读取速度高达 180MB/s,传输速度达 160MB/s,可轻松处理较大文件 韩国首尔--2024年7月31日--三星电子宣布推出1 TB大容量microSD存储卡PRO Plus和EV...
1.三星电子宣布正式量产其第九代四层单元(QLC)V-NAND闪存,成为全球首个涉足QLC领域的存储巨头。 2.第九代QLC V-NAND采用双堆栈技术和创新的通道孔蚀刻工艺,实现了更高的层数结构,大幅提升芯片存储密度。 3.除此之外,三星还推出了QLC和TLC版本的第九代V-NAND,以满足不同领域的需求。
北京时间8月6日消息,三星电子今日宣布,公司已开始批量投产全球首款采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”,该技术可使NAND闪存的可靠性最高提升10倍,并广泛适用于消费电子和企业级产品。三星称,V-NAND单颗芯片容量为16GB,内部通过3DCTF电荷捕型获闪存技术以及垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。这种新闪存的拓展能力是...
01 V-NAND技术是三星970EVO Plus强劲性能的有力支撑 三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用...
01 V-NAND技术是三星970EVO Plus强劲性能的有力支撑 三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用...
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...