3D V-NAND闪存 (3D垂直NAND闪存) 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺,缩小相邻存储单元之间的间隙。但,这一方式增加了电子泄露干扰。所以,三星半导体开发了一种三维垂直堆叠单层存储单元的创新结构,以克服这一问题...
据TomsHardware报道，三星在最近的ISSCC 2025上展示了即将发布第10代V-NAND闪存，不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能，而且还首次将COP（Cell-on-Periphery）结构和混合键合技术结合。三星展示的第10代V-NAND属于1Tb的TLC闪存，总层数超过了400层，预计达到420层至430层，接口速度达5.6Gbps，大约是700 MB/s。...
据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。其中...
三星V-NAND技术从2013年引入市场，便引发了全行业的关注，从初代的32层（即在单位面积上的堆叠层数）到后续的64层，直到9X层，根据公开消息，三星V-NAND技术或将提升到200+层堆叠，最大限度的提升单位闪存的利用率。而笔者手中这款三星970EVO Plus便是采用三星全新V-NAND技术研发的旗舰级产品，基于V-NANDND技术...
据了解,三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层,目前第八代是236层,更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现。 具体来说,三星将发布 1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度28.5Gb平方毫米,国内最强的长江存储颗粒密度为20.62Gb平方毫米。性能上,I/O速率达到了3.2 Gbps,现有第8代是2.4 ...
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
2024年9月24日,三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性,成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。 三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991,能效提高...
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 后年推出，0a DRAM 为 VCT 结构 IT之家 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的...
深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高...
据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼...