三星原厂NAND闪存颗粒 NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电，实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势，NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点，迅速成为了各家存储厂商研发的重点。因而，为了进一步提升NAND闪存容量，满足用户对于大容量存储的需求...
三星原厂NAND闪存颗粒 NAND闪存工作的原理是通过单位NAND内部电荷数Bit的通电和放电，实现对数据的存储。基于无机械结构的电荷存储优势，NAND闪存技术能够提供包括高性能、稳定、耐摔耐磕碰、一体成型故障率低等多种特点，迅速成为了各家存储厂商研发的重点。因而，为了进一步提升NAND闪存容量，满足用户对于大容量存储的需求...
在堆叠层数方面，第六代V-NAND颗粒应用了前文提到的三星独创的CTF路线，也就是“通道孔蚀刻”技术，即在闪存内部建立100多个层组成的导电晶片堆栈，从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，让第六代V-NAND颗粒内部拥有1XX层的堆叠，相较于应用在970EVO Plus上的第五代9X层，有了一个量级的提...
日前,三星电子总裁兼内存业务负责人Jung-Bae Lee在闪存峰会上宣布,三星正在开发第9代V-NAND储存颗粒,堆叠超300层,计划在2024年量产。 据了解,三星该颗粒采用 V-NAND 双堆栈架构,比竞争对手的3D NAND 颗粒拥有更多层,例如SK 海力士 即将推出的321层颗粒。这意味着三星的颗粒会有更高单体容量,更好的性能,尤其是I...
据了解,三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层,目前第八代是236层,更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现。 具体来说,三星将发布 1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度28.5Gb平方毫米,国内最强的长江存储颗粒密度为20.62Gb平方毫米。性能上,I/O速率达到了3.2 Gbps,现有第8代是2.4 ...
三星今天宣布,已开始量产 PM9E1 SSD,基于5nm主控和三星第八代 V-NAND 颗粒。 三星PM9E1 是一款 PCIe 5.0 SSD ,定位不低,是 PM9A1a 的继任者,性能、容量、能效、安全以及AI方面,都有提升,尤其适合 AI 平台。 内采用三星5nm 主控,没有说缓存,有 512 GB、1 TB、2 TB 和 4 TB 四种容量,走 PCIe 5.0...
三星今天宣布,已经开始量产其最新的第9代 V-NAND 储存颗粒,是一年半前发布的第8代的继承者。 三星第9代 V-NAND 颗粒采用业内小封装技术打造,采用先进的“通道孔蚀刻”技术,该技术能够在双层结构中同时钻孔,达到业界最高的单元层数。 具体来说,密度提高约50%,还支持下一代“Toggle 5.1”接口,读写和写入/秒带...
甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪:三星电子开发基于第八代V~NAND的车载SSD,SK海力士量产12层HBM3E。 以下为研究报告摘要: NAND:NAND颗粒市场价格小幅波动,三星电子成功开发基于第八代V-NAND的车载SSD。根据DRAMexchange,上周(0923-0927)NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.81%至9.91%,平均涨跌幅为...
三星今天发布了新款 PRO Plus 和 EVO Plus储存卡,采用第八代颗粒,改进工艺,更省电,更稳定,最大1TB容量,适用于手机、平板、运动相机、迷你主机、无人机、游戏掌机等。 PRO Plus 和 EVO Plus 系列都提供 128 GB、256 GB、512 GB 和 1 TB 四种容量,EVO Plus 多了个 64 GB 版本。
正如在2022年闪存峰会和2022年三星存储器技术日上所承诺的那样，三星电子今天宣布，它已经开始大规模生产具有业界最高比特密度的1Tb三层单元（TLC）第八代垂直NAND（V-NAND）。新的V-NAND颗粒的单位容量为1Tb，是迄今为止业内最高的存储容量，可在全球下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。三星电子闪存产品与...