深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
IT之家 4 月 23 日消息，三星半导体今日宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，比三星上一代产品提高约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了约...
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 “我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。”三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。“为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求,三星在这款产品的单元架构和运...
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 “我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。”三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。“为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求,三星在这款产品的单元架构和运行方案上不...
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 "我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求,三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破...
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求,三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破极...
三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产 深圳2024年4月23日/美通社/ -- 近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 "我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断...
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 "我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求,三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破...
三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产 IT之家4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。 凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代 V-NAND 的...
三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产 IT之家 4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。 凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代 V-NAND ...