继镁光之后，三星最近宣布已开始批量生产第五代96 层堆叠设计的 V-NAND 闪存芯片，单 Die 容量为 256Gb，在使用“Toggle DDR 4.0” 接口时， 三星全新256 Gb闪存输数据的速度最高可达到 1.4 Gbps，相比 64 层 NAND Flash 增加了 40%，并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。全新 V-NAND 闪存相比 64 ...
三星电子 是先进内存技术的出色企业,于今日发布公告,公司已开始量产其第五代 V-NAND 内存芯片,该芯片具备行业内较快的数据传输速度。 在业内首先采用的 “Toggle DDR 4.0” 接口中,存储器与内存之间通过 三星 最新的 256 千兆位 (Gb) V-NAND 传输数据的速度已达到每秒 1.4 千兆位 (Gbps),相对于其 64 层...
近日，三星电子正式宣布开始批量生产第五代3D V-NAND闪存，该芯片采用96层堆叠设计，相比上一代产品，第五代性能V-NAND性能更高，功耗更低，V-NAND另一大亮点则是首次使用Toggle DDR 4.0接口。三星V-NAND（图片源自samsung）全新V-NAND相比64层NAND在性能上有所增加，数据传输速度可达到1.4Gbps，写入延迟仅为50...
据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比，后者使存储的传输速度提高了40%。此外，新的V-NAND...
三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。 这些单元以金字塔结构堆积,并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,尺度仅有...
三星的第五代V-NAND闪存内部堆栈了超过90层CTF Cell单元，是目前堆栈层数最高的，这些存储单元通过微通道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以存储三位数据（这是TLC闪存）。此外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存...
7月11日，据外媒报道，三星电子官方宣布：正式开始量产第五代 3DV Nand闪存，本月起已在京畿道平泽工厂投入批量生产。这是时隔1年零7个月后，三星电子再一次升级自己闪存生产线。目前全球的闪存制造商主要集中在日韩，而以东芝，WDC和镁光为代表的公司目前主要的产品线是生产第四代64-72层产品。而三星的第五代3D...
三星宣布大规模量产第五代V-NAND闪存芯片，领先行业两年 最近，韩国三星公司宣布开始大规模量产第五代V-NAND闪存芯片，距离三星上一代产品差不多快两年了。当前，市场上的闪存芯片主流产品还是处于第四代水平，三星此次量产第五代闪存芯片可谓领先行业两年。据了解，三星推出第五代V-NAND闪存芯片比第四代快40%，传输...
三星第五代V-NAND闪存开始大规模量产 iMobile手机之家，7月11日消息 日前，作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND，第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口，而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps，相比上一代产品增加40%。与之前产品类似的是，第五代V-NAND闪存同样...
近日,Samsung Electronics(三星电子)官方宣布,正式开始量产业内最先进的96层堆叠设计颗粒——第五代3D V-NAND,性能提升约40%,容量密度大幅提升同时,延迟响应和电压也大幅降低,所以新一代能耗表现更为优秀。 据了解,三星第五代V-NAND采用业内先进96层堆叠技术,采用类似金字塔结构堆叠而成,在每一层之间贯穿极微小的...