【环球网科技综合报道】据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。 三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比,后者使存储的传输速度提
三星电子 是先进内存技术的出色企业,于今日发布公告,公司已开始量产其第五代 V-NAND 内存芯片,该芯片具备行业内较快的数据传输速度。 在业内首先采用的 “Toggle DDR 4.0” 接口中,存储器与内存之间通过 三星 最新的 256 千兆位 (Gb) V-NAND 传输数据的速度已达到每秒 1.4 千兆位 (Gbps),相对于其 64 层...
Switch 2:新一代任天堂巨星,揭秘三星第五代V-NAND闪存技术的数字奇迹! 01:26 任天堂提交新专利:Switch 2或采用可拆卸双屏幕 次元裂痕电子羊 4.3万 139 知名爆料人泄露Switch2发售日,1月17日公布,经典大作《马里奥赛车9》与《荒野大镖客2》护航! 次元裂痕电子羊 4.9万 178 🕹️Switch2售价预计449美元6...
三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。 这些单元以金字塔结构堆积,并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,尺度仅有...
近日，游戏界掀起了一阵关于任天堂新机型Switch 2的热烈讨论。据知名科技媒体wccftech报道，这款备受期待的游戏机可能会采用三星最尖端的第五代V-NAND闪存技术，预示着其在性能上的重大飞跃，将给玩家们带来前所未有的游戏体验。这一消息的来源颇为引人关注。油管知名游戏博主Doctre81在其频道分享的最新视频中，深入...
三星于2017年8月首次在闪存峰会上宣布推出第五代3D NAND闪存：96L V-NAND。近日，三星已经开始批量生产96L V-NAND。新一代V-NAND产品将闪存的层数从64增加到96，进一步增加了芯片的密度，但不会降低NAND闪存的耐久性和可靠性。第五代V-NAND的最重要特性是增强性能，是以1.4Gbps运行的Toggle DDR 4.0接口，而...
7月11日，据外媒报道，三星电子官方宣布：正式开始量产第五代 3DV Nand闪存，本月起已在京畿道平泽工厂投入批量生产。这是时隔1年零7个月后，三星电子再一次升级自己闪存生产线。目前全球的闪存制造商主要集中在日韩，而以东芝，WDC和镁光为代表的公司目前主要的产品线是生产第四代64-72层产品。而三星的第五代3D...
12月5日,在此间举行的2017中国存储峰会上,三星半导体华北区副总裁欧阳基表示,三星第五代V-NAND闪存即将正式发布,但他没有透露五代闪存的量产计划。 据悉,三星V-NAND闪存技术会不断创新和迭代,单晶最大容量达到1Tb,读写速度达到了1200Mbps。三星第五代V-NAND闪存最早于2017年8月10日在旧金山闪存峰会上公布。
2018下半年,三星正式宣布开始量产第五代3D V-NAND闪存,其采用全新的9X层堆叠技术,每单元可保存3比特数据。据三星数据显示,在这两项技术的加成下,存储设备能够实现更快的传输速度以及更优的能效比。1月23日,三星推出了采用NVMe协议的最新产品三星970 EVO Plus,我们有幸拿到了一款250 GB的970EVO Plus,下面就来看看...
三星的第五代V-NAND闪存内部堆栈了超过90层CTF Cell单元，是目前堆栈层数最高的，这些存储单元通过微通道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以存储三位数据（这是TLC闪存）。此外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存...