3D V-NAND闪存 (3D垂直NAND闪存) 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺,缩小相邻存储单元之间的间隙。但,这一方式增加了电子泄露干扰。所以,三星半导体开发了一种三维垂直堆叠单层存储单元的创新结构,以克服这一问题...
NAND闪存，按照业界一般的理解， 本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是...
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
NAND闪存，按照业界一般的理解， 本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是...
2024年9月24日,三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性,成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。 三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991,能效提高...
2024年12月5日,快科技报道,三星电子即将在即将举行的国际固态电路会议(ISSCC)上展示其新一代第10代V-NAND闪存。这款闪存不仅拥有超过400层的堆叠结构,还具备了高达5.6 GT/s的接口速度,引发了广泛关注与期待。 新一代V-NAND的技术概述 三星的第10代V-NAND采用TLC(三级单元)架构,每个芯片的容量为1Tb(约128GB...
01三星电子宣布正式量产其第九代四层单元(QLC)V-NAND闪存,成为全球首个涉足QLC领域的存储巨头。 02第九代QLC V-NAND采用双堆栈技术和创新的通道孔蚀刻工艺,实现了更高的层数结构,大幅提升芯片存储密度。 03除此之外,三星还推出了QLC和TLC版本的第九代V-NAND,以满足不同领域的需求。
2024年12月,科技界传来一则重磅消息,三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代V-NAND闪存 。这一新一代闪存亮点颇多,接口速度可达5.6 GT/s,存储单元更是堆叠超过400层。 从技术层面来看,三星的第10代V-NAND保持了TLC架构,每个芯片的容量为1Tb,也就是128GB。其存储密度达到了28 Gb/mm²,虽...
深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高...