3D V-NAND闪存 (3D垂直NAND闪存) 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺,缩小相邻存储单元之间的间隙。但,这一方式增加了电子泄露干扰。所以,三星半导体开发了一种三维垂直堆叠单层存储单元的创新结构,以克服这一问题...
快科技12月5日消息,据媒体报道,三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash,接口速度可达5.6 GT/s。 三星的这一新一代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元3位)架构,每个芯片的容量为1Tb(128GB)。 三星声称,其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm...
NAND闪存，按照业界一般的理解， 本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是...
NAND闪存，按照业界一般的理解， 本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，其中非易失性的突出特点，使得这种基于通断电存储的介质能够长久的保存数据，最终使得NAND闪存颗粒走向了前台；其实，熟悉闪存的朋友，可能还听过另一个词，即Dram颗粒，即动态随机存取存储器，同样是...
01三星电子宣布正式量产其第九代四层单元(QLC)V-NAND闪存,成为全球首个涉足QLC领域的存储巨头。 02第九代QLC V-NAND采用双堆栈技术和创新的通道孔蚀刻工艺,实现了更高的层数结构,大幅提升芯片存储密度。 03除此之外,三星还推出了QLC和TLC版本的第九代V-NAND,以满足不同领域的需求。
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
近日，据报道，三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。报道称，这将使三星的进度超过SK海力士——后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。早在2020年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第7代V-NAND闪存芯片。存储芯片是信息技术领域的核心组成部分，随着数据量的爆炸...
全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已開始量產1Tb QLC(quad-level cell)第九代垂直NAND(V-NAND)。 繼今年4月領先業界投產TLC(triple-level cell)第九代V-NAND,三星再次獨步全球,量產QLC第九代V-NAND,鞏固其在高容量、高效能NAND快閃記憶體市場的領導地位。
2024年9月24日,三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性,成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。 三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991,能效提高...
据了解,三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层,目前第八代是236层,更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现。 具体来说,三星将发布 1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度28.5Gb平方毫米,国内最强的长江存储颗粒密度为20.62Gb平方毫米。性能上,I/O速率达到了3.2 Gbps,现有第8代是2.4 ...