除了手写数字分类，三星电子还用4个MRAM阵列芯片运行了人脸检测算法。在这一步，MRAM阵列芯片并没有对场景中的所有对象进行人脸认证，而是先检测场景中是否存在人脸，确认存在后再激活更高功率的人脸认证算法。通过这种方法，MRAM阵列芯片从2000个无遮罩人脸场景中检测到1851张人脸，准确率为92.5%；从500个遮罩人脸场景...
MRAM 是三星代工厂核心产品组合的核心,三星电子就此发表的学术论文对其能力范围进行了讨论。 三星电子的核心 MRAM 技术:一篇强调 IEDM 的论文 2022 年 12 月,三星在著名的微电子和纳米电子会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表了一篇题为 "面向非易失性 RAM 应用的全球最节能 MRAM 技术 "的论文。该论文介...
致真存储:国内仅致真存储致力于开发第三代MRAM的研发,其写入技术为SOT-MRAM,技术上对标更接近底层的缓存级存储器,公司SOT-MRAM发明专利数在企业中居全球前十。 去年8月,致真存储成功研发128Kb SOT-MRAM芯片并实现量产,此成果继1Kb SOT-MRAM芯片流片成功后,再度树立了新一代磁存储技术工艺研制的重要里程碑。 珠海...
MRAM 是三星代工厂核心产品组合的核心,三星电子就此发表的学术论文对其能力范围进行了讨论。 三星电子的核心 MRAM 技术:一篇强调 IEDM 的论文 2022 年 12 月,三星在著名的微电子和纳米电子会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表了一篇题为 "面向非易失性 RAM 应用的全球最节能 MRAM 技术 "的论文。该论文介...
用于内存内计算的磁阻内存交叉阵列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。这一阵列成功解决了单个MRAM器件的小电阻问题，从而降低功耗，实现了基于MRAM的内存内计算。按照三星的说法，在执行AI计算时，MRAM内存内计算可以做到98％的笔迹识别成功率、93％的人脸识别准确率。
集微网消息,据外媒报道,三星电子即将在国际电子器件会议(IEDM)上报告其在新一代非易失性存储器件领域最新研究进展。 会议接收的资料显示,三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造,据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。
通过将MRAM——已经达到商业规模生产的嵌入系统半导体制造的存储器——引入内存计算领域，这项工作拓展了下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿。研究人员还建议，这种新的 MRAM 芯片不仅可以用于内存计算，还可以作为下载生物神经元网络的平台。这与三星研究人员最近在《自然电子》杂志 2021 年 9 月刊上发表的一篇透视论文...
在今年早些时候举行的国际固态电路会议上,三星的竞争对手英特尔详细介绍了其22nm嵌入式MRAM技术,这是首款采用FinFET工艺的嵌入式MRAM。英特尔表示,其22nm制程eMRAM已经准备好量产,一些分析师已经在出货英特尔为代工客户生产的产品。 三星电子负责代工市场营销的副总裁Ryan Lee在一份新闻声明中表示:“通过将eMRAM与现有的...
要说的就是最近引发大家关注的 MRAM 技术,在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体龙头英特尔及三星就为此大打出手。他们展示了嵌入式MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。从上世纪 90 年代到现在,历经了数十年发展的 MRAM,被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。
在第64届国际电子器件会议( IEDM )上,全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式随机存取记忆体),是一种非易失性记忆体技术,从1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机记忆体的高速读取写入能力,具有快闪记忆体的非挥发性,容量密度...