上周,在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体巨头——英特尔与三星展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 首先,我们来了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory),它是一种非易失性的磁性随机存储器。拥有静态随机存储器 (SRAM) 的高速读取写入能力,以及动态随机存储器 (DRAM) 的
芯科技消息(文/罗伊)台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中,从研究成果显示,工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。 台工研院电光系统所所长吴志毅表示,5G、AI时代来临,摩尔定律一再向下微缩,半导体走向...
三星推出业界首款512GB CXL内存模块,并计划升级SMDK 据三星介绍,这次的新型CXL内存模块是第一款采用512GB DDR5内存的产品,搭载了专用的控制器,支持PCIe 5.0接口,采用了EDSFF尺寸。其容量是之前版本的四倍,而系统延迟只有五分之一,非… 吕嘉俭 | 发布于8小时之前 ...
MRAM已是三星、台积电先后投入研究的内存产品，但是否将改变现有市场状况，促使板块转移，还需持续观察。本次工研院携手台积电共同发布的SOT-MRAM技术，能在低电压、电流的情况下，达到0.4奈秒的高速写入，并具备7兆次的耐受度。该项技术成绩与比利时微电子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre,imec）研究成...
芯科技消息(文/罗伊)台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中,从研究成果显示,工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。 台工研院电光系统所所长吴志毅表示,5G、AI时代来临,摩尔定律一再向下微缩,半导体走向...
在这一文献之前,学术界主要聚焦于基于SRAM和RRAM的存算一体芯片,并进行了非常多的技术落地工作。由于引入了电阻加和的思路,使得MRAM也可以大规模应用于存算一体芯片(不仅仅是存内计算)的设计,为存算技术的发展拓宽了道路。Nature首发的三星存内计算芯片的原理和不足是什么? - 陈巍 博士的文章 - 知乎 陈巍谈芯:...
三星是全球首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商,用以克服DRAM芯片发展上的挑战。由于EUV技术的采用,减少了多重影像制作中的重复步骤,因此进一步提高了影像制作的准确性,也增加了产品的性能与产量,也使得生产时间缩短。 为了满足对新世代DRAM存储芯片市场不断成长的需求,三星也将在2020下半年开始在韩国平泽工业区内...
台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中,从研究成果显示,工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。 台工研院电光系统所所长吴志毅表示,5G、AI时代来临,摩尔定律一再向下微缩,半导体走向异质整合,而能突破既...
在其论文中,英特尔表示其嵌入式 MRAM 技术可在 200 摄氏度下实现长达 10 年的记忆期,并可在超过 106 个开关周期内实现持久性。该技术使用 216mm×225mm 1T-1R 存储单元。 与此同时,三星也称其 8Mb MRAM 的续航能力为 106 次,记忆期为 10 年。
芯科技消息(文/罗伊)台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中,从研究成果显示,工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。 台工研院电光系统所所长吴志毅表示,5G、AI时代来临,摩尔定律一再向下微缩,半导体走向...