简单来说,就是三星电子开发了一种MRAM阵列芯片,用新的“电阻总和”内存计算架构取代了标准的“电流和”内存计算架构,从而解决了单个MRAM器件的小电阻问题。 为了将这种新的MRAM阵列用于AI计算,研究人员采用了二值神经网络(BNN)算法。这种算法的精度可以以网络大小为代价,将每个实值权值表示为二值化函数,或以计算速度...
据韩国businessKorea网站3月7日报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。 businessKorea网站截图 三星3月6日宣布,已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行...
集微网消息,据外媒报道,三星电子即将在国际电子器件会议(IEDM)上报告其在新一代非易失性存储器件领域最新研究进展。 会议接收的资料显示,三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造,据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。 这一样品数据写入仅...
这一阵列成功解决了单个MRAM器件的小电阻问题，从而降低功耗，实现了基于MRAM的内存内计算。按照三星的说法，在执行AI计算时，MRAM内存内计算可以做到98％的笔迹识别成功率、93％的人脸识别准确率。
IT之家1 月 13 日消息,据外媒 techpowerup 报道,三星电子今日正式公布了世界首款搭载 MRAM 内存的电脑,相关论文发表在《Nature》网站,并即将在杂志上发表。论文题目为《用于内存内计算电脑的磁阻存储器件交叉阵列》,相关电脑可以用于 AI 运算。 这项技术是三星 SAIT 研究院与三星电子代工业务和半导体研发中心共同开...
三星MRAM存内计算的原理 三星存内计算芯片的架构 虽然MRAM存储器件具备高可靠性、可大规模量产等优势,且成熟度优于RRAM,但其小电阻的特性(一般在20-50kΩ量级)阻碍了这类存储器被用于存内计算。 这是因为,如果采用传统的电流加和模式,对应多路乘加的8位位宽的支路电流可能达到数百毫安,与RRAM或者SRAM存算相比,...
要说的就是最近引发大家关注的 MRAM 技术,在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体龙头英特尔及三星就为此大打出手。他们展示了嵌入式MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。从上世纪 90 年代到现在,历经了数十年发展的 MRAM,被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。
三星的研究人员通过架构创新提供了解决方案,成功开发了一种MRAM阵列芯片,应用了名为“电阻总和(resistance sum)”新型内存计算架构,解决了单个MRAM器件的小电阻问题。三星的研究团队通过该MRAM芯片进行AI运算,并对其性能进行了测试,结果显示在手写数字分类方面的准确率达到了98%,而在场景中检测人脸方面的准确率达到了93%...
研究人员开发RRAM(电阻随机内存)、PRAM(相变随机内存)等产品,且有原型出现。三星MRAM(磁阻非易失随机内存)有高速、耐用、易量产等优点,但由于功耗问题,迟迟没有正式亮相。 三星研究人员通过创新架构提供解决方案。研究者成功开发新MRAM数组,借新型电阻和计算架构替换目前架构,降低功耗问题。三星指出,搭载MRAM内存的计算机...
三星发力MRAM 在东方财富看资讯行情,选东方财富证券一站式开户交易>> 来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自三星 ,谢谢。 三星晶圆代工论坛(SFF)2023 于 10 月 17 日在日本东京和 10 月 19 日在德国慕尼黑举行。SFF 是三星晶圆代工最大的年度盛会,三星在此与全球合作伙伴和客户分享其最新技术、业务战略...