金融界2024年3月20日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统“，授权公告号CN111937072B，申请日期为2019年3月。专利摘要显示，公开了用于检查STT‑MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统。本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法...
金融界2024年3月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统“,公开号CN117746938A,申请日期为2019年3月。 专利摘要显示,公开了用于检查STT‑MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统。本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法和系统,...